[发明专利]用于光学器件增强的润湿层有效

专利信息
申请号: 201980012469.8 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN111699430B 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 卡尔·J·阿姆斯特朗;傅晋欣;威尔逊·班茨 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: G02B26/00 分类号: G02B26/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 光学 器件 增强 润湿
【权利要求书】:

1.一种制作光学器件的方法,包含以下步骤:

加热基板;

在所述基板上沉积介电膜,所述介电膜由含氧化物材料形成;

在所述介电膜上沉积第一润湿层,且所述第一润湿层与所述介电膜接触,所述第一润湿层由含钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)或钴(Co)的层形成;

在所述润湿层上沉积含金属膜,且所述含金属膜与所述润湿层接触,所述含金属膜由反射金属材料形成,所述反射金属材料包含以下一或多种材料:铝、银及金;和

在所述含金属膜上沉积第二润湿层,且所述第二润湿层与所述含金属膜接触,所述第二润湿层由含硅(Si)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化钽(TaO)、氧化铝(Al2O3)、磷化镓(GaP)或氮化镓(GaN)的层形成。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述含氧化物材料为二氧化钛。

3.如权利要求1所述的方法,其中所述介电膜为多层堆叠。

4.如权利要求1所述的方法,进一步包含以下步骤:

在所述基板上沉积所述介电膜之前,蚀刻所述基板的表面。

5.如权利要求1所述的方法,其中所述介电膜、所述润湿层或所述含金属膜中的一或多个由物理气相沉积工艺沉积。

6.一种制作光学器件的方法,包含以下步骤:

将基板传送至处理腔室中;

通过溅射蚀刻清洁所述基板的表面;

在所述基板的所述表面上形成介电层,所述介电层包含含氧化物材料;

在所述介电层之上形成第一润湿层,所述第一润湿层由含钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)或钴(Co)的层形成;

在所述第一润湿层之上形成金属层,所述金属层包含以下一或多种材料:铝、银及金;和

在所述金属层之上形成第二润湿层,其中所述第二润湿层由与所述第一润湿层不同的材料组成,所述第二润湿层由含硅(Si)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化钽(TaO)、氧化铝(Al2O3)、磷化镓(GaP)或氮化镓(GaN)的层形成。

7.如权利要求6所述的方法,其中所述含氧化物材料为二氧化钛。

8.如权利要求6所述的方法,其中在所述第二润湿层之上形成第二介电层。

9.如权利要求6所述的方法,其中所述第一润湿层由退火工艺并入所述金属层中。

10.如权利要求6所述的方法,其中所述介电层、所述第一润湿层、所述第二润湿层或所述金属层中的一或多个由物理气相沉积工艺沉积。

11.一种光学器件,包含:

基板;

介电膜,设置在所述基板上且与所述基板接触,所述介电膜包含含氧化物材料;

第一润湿层,设置在所述介电膜上且与所述介电膜接触,所述第一润湿层由含钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)或钴(Co)的层形成;

含金属膜,设置在所述润湿层上且与所述润湿层接触,所述含金属膜包含以下一或多种材料:铝、银及金;和

第二润湿层,设置在所述含金属膜上且与所述含金属膜接触,所述第二润湿层由含硅(Si)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化钽(TaO)、氧化铝(Al2O3)、磷化镓(GaP)或氮化镓(GaN)的层形成。

12.如权利要求11所述的器件,其中所述介电膜包含二氧化钛。

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