[发明专利]用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂

说明书

本发明涉及一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂，具体地说，一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂，其可以去除在进行晶圆制备工艺时为保护晶圆的表面被涂布的保护性涂层剂而不损伤晶圆的表面。

技术领域

本发明涉及一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂，具体涉及一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂，其可以去除在晶圆制备工艺中为保护晶圆的表面而被涂布的保护性涂层剂而不损伤晶圆的表面。

背景技术

在半导体晶圆加工工艺中，切割(dicing)工艺，即锯切工艺，是位于晶圆制备工艺与封装工艺之间且将晶圆分离成各个芯片单元的工艺。

其中，在将半导体晶圆的各个芯片用刀片互相分离的工艺中，落到芯片表面的碎片会造成不良。为了解决所述问题，从前使用的方法是将喷嘴在刀片的两侧与晶圆的水平方向设置，以高压喷射大量的水而立即去除落到芯片表面的碎片。所述方法在半导体芯片尺寸大时,加工时间短、碎片产量少时是有用的，然而，在半导体芯片的尺寸逐渐减小、加工时间的增加、碎片产量增加时，无法立即去除碎片。

对此，为了克服所述问题，韩国专利申请第10-2009-0066314号公开了一种用聚环氧乙烷/聚环氧丙烷(Polyethyleneoxide/Polypropyleneoxide，PEO-PPO)、聚乙二醇)(Polyethyleneglycol，PEG)以及其他添加剂制备的洗涤剂组合物，所述聚环氧乙烷/聚环氧丙烷是非离子表面活性剂。

然而，用所述组合物进行锯切工艺时，可以去除一定尺寸的碎片，但无法完全去除微小的碎片。结果，被残留的微小碎片所引起的刮痕、凿痕等缺陷仍未解决。

因此，需要如下的切割工艺的保护性涂层剂，其在晶圆表面形成涂层并完全防止在以切削工艺为首的加工工艺中发生的刮痕、凿痕、污点、变白或腐蚀等缺陷。

另一方面,对所述半导体切割工艺用保护性涂层剂来说，切割工艺结束后需要重新排列各个芯片并去除各个芯片表面的涂层剂。形成晶圆用的保护性涂层剂的物质因为是形成光致抗蚀剂的物质这类的高分子树脂，所以，可以适用用于剥离光致抗蚀剂的剥离剂。

如上所述的剥离剂中，著名的是美国专利公报第4,617,251号公开的剥离剂。就是说，所述美国专利公报文献公开了一种包含特定胺化合物(例如，(2-(2-氨基乙氧基)乙醇)以及特定极性溶剂(例如，四氢糠醇、异佛尔酮、γ-丁内酯、N,N-二甲基乙酰胺以及其混合物)的正型光致抗蚀剂剥离组合物。

韩国专利公开公报第2001-0018377号提出了一种包括胺化合物、二醇系溶剂、以及全氟烷基环氧乙烷的光致抗蚀剂剥离剂。

韩国专利公开公报第2000-0016878提出了一种剥离溶液，其由烷氧基N-羟烷基链烷酰胺、偶极矩3以上的极性物质、损伤防止剂以及烷醇胺组成的。

然而，现有技术提示的剥离剂是在高温的工艺条件下使用的，因此在环境方面和处理费用方面不利,而且对洗涤残渣方面也是有限的。而且，由于高温的工艺条件，工艺中隐含腐蚀危险性，要使用防腐剂。为了防止腐蚀而使用唑类添加剂时，生物降解能力会减少，结果，会需要额外的废液处理。

因此，需要一种剥离剂，其不但在常温条件下容易去除残存于晶圆表面的保护性涂层剂而且还不造成腐蚀等损伤。

发明内容

技术问题

本发明是斟酌所述内容而提出的，其目的在于提供一种用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂，其可以容易去除在半导体制备工艺中形成于晶圆表面的涂层而不损伤晶圆的表面。

技术方案

为了解决所述技术问题，本发明的用于剥离切割工艺用保护性涂层剂的剥离剂，剥离在晶圆表面上涂层的保护性涂层剂，