[实用新型]一种高强度的电容引线框架有效

专利信息
申请号: 201922435390.6 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN211208250U 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 罗建平 申请(专利权)人: 南通南平电子科技有限公司
主分类号: H01G4/228 分类号: H01G4/228;H01G4/224
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地址: 226316 江苏省南通*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 强度 电容 引线 框架
【说明书】:

实用新型公开了一种高强度的电容引线框架,包括框架、插座A、插座B、插头、钩脚、引线套、保护壳及加强杆,框架一侧的外部设置有插座A,框架设置插座A一侧的内部设置有插座B,插头一侧设置有钩脚,插头中间位置还设置有引线套,插座B远离插座A一端设置有保护壳,框架内部横向设置有加强杆,加强杆与保护壳相连,该实用新型结构合理,插头通过钩脚固定在框架外侧的插座A内,将插头固定,较传统电容引线框架的插头更加牢固,不易脱落,框架内部通过加强杆加固,使框架的强度大大提升,避免引线变形,提高使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及电容引线框架技术领域,具体为一种高强度的电容引线框架。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。

有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、TSSOP、QFP(QFJ)、SOD、SOT等。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。引线框架使用的原材料有:KFC、C194、C7025、FeNi42、TAMAC-15、PMC-90等。材料的选择主要根据产品需要的性能:(强度、导电性能以及导热性能)来选择。

引线框架用铜合金大致分为铜一铁系、铜一镍-硅系、铜一铬系、铜一镍一锡系(JK--2合金)等,三元、四元等多元系铜合金能够取得比传统二元合金更优的性能,更低的成本,铜一铁系合金的牌号最多,具有较好的机械强度,抗应力松弛特性和低蠕变性,是一类很好的引线框架材料。由于引线框架制作及封装应用的需要,除高强度、高导热性能外,对材料还要求有良好的钎焊性能、工艺性能、蚀刻性能、氧化膜粘接性能等。材料向高强、高导电、低成本方向发展,在铜中加人少量的多种元素,在不明显降低导电率的原则下,提高合金强度(使引线框架不易发生变形)和综合性能,抗拉强度600Mpa以上,导电率大于80%IACS的材料是研发热点。并要求铜带材向高表面,精确板型,性能均匀,带材厚度不断变薄,从0.25mm向o.15mm、0.lmm逐步减薄,0.07一0.巧~的超薄化和异型化。

传统电容引线框架结构强度小,导致容易损坏,并且电容插头容易脱落,从而影响使用,因此,亟待一种改进的技术来解决现有技术中所存在的这一问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高强度的电容引线框架,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高强度的电容引线框架,包括框架、插座A、插座B、插头、钩脚、引线套、保护壳及加强杆,所述框架一侧的外部设置有插座A,所述框架设置插座A一侧的内部设置有插座B,所述插头一侧设置有钩脚,所述插头中间位置还设置有引线套,所述插座B远离插座A一端设置有保护壳,所述框架内部横向设置有加强杆,所述加强杆与保护壳相连。

优选的,所述插头上设置有圆孔。

优选的,所述插座A内部两侧分别设置有勾槽,所述勾槽为“L”形。

优选的,所述钩脚底部外侧设置有凸起,所述钩脚底部向外设置有凸起与插座A内部两侧的勾槽相匹配。

优选的,所述插座B为空心结构,所述插座B与保护壳内部相连通,所述引线套贯穿设置于插座B与保护壳内。

优选的,所述引线套的内径与电容引线相匹配。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

(1)本实用新型结构合理,插头通过钩脚固定在框架外侧的插座A内,将插头固定,较传统电容引线框架的插头更加牢固,不易脱落。

(2)框架内部通过加强杆加固,使框架的强度大大提升,避免引线变形,提高使用寿命。

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