[实用新型]一种基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置

权利要求书

1.一种基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置，其特征在于，包括数据信号处理装置、存储装置和PBGA900基板，其中：

所述数据信号处理装置包括信号处理核心芯片XC7Z045、eMMC存储器芯片、数据存储芯片DDR3和BOOT程序存储芯片QSPIFLASH；

所述存储装置包括eMMC控制器芯片和NAND flash存储器芯片；

所述信号处理核心芯片XC7Z045和所述数据存储芯片DDR3采用两层堆叠方式堆叠，所述信号处理核心芯片XC7Z045、所述数据存储芯片DDR3以及所述BOOT程序存储芯片QSPIFLASH连接于硅转接基板的上表面上且整体密封设于所述PBGA900基板上表面与塑封管壳之间腔体内；

所述eMMC控制器芯片和所述NAND flash存储器芯片采用两层堆叠方式堆叠，连接于所述PBGA900基板表面上且密封设于所述腔体内，在所述PBGA900基板的下表面进行植球。

2.根据权利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置，其特征在于，

所述信号处理核心芯片XC7Z045和所述数据存储芯片DDR3之间通过键合方式电性连接；

所述信号处理核心芯片XC7Z045和所述数据存储芯片DDR3堆叠后倒装焊接于所述PBGA900基板上表面。

3.根据权利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置，其特征在于，所述信号处理核心芯片XC7Z045和所述数据存储芯片DDR3堆叠后形成一堆叠部，所述堆叠部上粘接散热盖。

4.根据权利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置，其特征在于，

所述eMMC控制器芯片和所述NAND flash存储器芯片通过键合方式电性连接；

所述eMMC控制器芯片和所述NAND flash存储器芯片堆叠后倒装焊接于所述PBGA900基板上表面。

5.根据权利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置，其特征在于，所述信号处理核心芯片XC7Z045被配置为处理接收到的信号数据；

所述eMMC存储器芯片对大于预定容量的数据进行存储；

所述BOOT程序存储芯片QSPI FLASH用于存储所述信号处理核心芯片XC7Z045的BOOT程序；

所述基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置还包括连接于所述PBGA900基板上表面腔体内的对外接口芯片，所述对外接口芯片与所述信号处理核心芯片XC7Z045键合电性连接，所述对外接口芯片采用RS485和CAN总线与上位机进行通讯及信息交换。

6.根据权利要求1所述的基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置，其特征在于，所述PBGA900基板采用高温塑封基板，所述PBGA900基板的上表面镀有布线，所述信号处理核心芯片XC7Z045和所述数据存储芯片DDR3堆叠后倒装焊接于所述PBGA900基板上表面的布线上，所述eMMC控制器芯片和所述NAND flash存储器芯片堆叠后倒装焊接于所述PBGA900基板上表面的布线上。