[实用新型]测试电路及测试系统有效
申请号: | 201922373426.2 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN211478537U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 范以训 | 申请(专利权)人: | 力特半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 方丁一 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 电路 系统 | ||
一种测试电路及测试系统,包括:包括门极,第一电极和第二电极的双向晶闸管;电感,其第一端电连接至所述第二电极;第一电容,其第一电极板与所述电感的第二端通过第一节点电连接,第二电极板通过第二节点与所述第一电极电连接;第一电阻,与所述第一电容并联在第一节点和第二节点之间;以及直流电源,其正极通过第二电阻电连接至第一节点,其负极电连接至第二节点。采用本公开提供的测试电路及测试系统,可以方便有效的测试双向晶闸管的动态抗电压上升率(动态dv/dt)。
技术领域
本实用新型涉及电子元件测试领域,尤其涉及一种测试电路及测试系统。
背景技术
在晶闸管的选型参数中,抗电压上升率(dv/dt)是晶闸管的一个重要考量参数。在含有晶闸管开关的电路中,由于受雷电或操作等影响,正常平稳的电路中产生陡波,从而产生较大的电压变化,加载在晶闸管上的电压也因此产生较大的电压变化率,使得晶闸管从关闭状态转换到开启状态。晶闸管抵抗这种电压变化情况(陡波情况),一般用参数抗电压上升率(dv/dt)表示,也可称之为静态抗电压上升率。
但是作为开关元器件,在整个开关整个过程中,除了关闭到开启这个阶段,还必须考虑从开启到关闭这个阶段。即在晶闸管有较大电流的通态下,有可能本该执行关闭的晶闸管会产生没有关闭的情况,即关不了。与从关闭到开启的状态不同(前者是在无电流状态下,出现陡波,即起电压变化,由于电压变化导致开启动作),而后者是在有较大电流的通态下,当电流下降到晶闸管维持电流IH之下,器件将会关闭,这时会有电压加到器件两端,如果电压变化的斜率过快,会导致器件再次导通,考察晶闸管在这种由开到关的情况下,抵抗电压变化的能力,被称为动态抗电压上升率(dv/dt)。
静态抗电压上升率和动态抗电压上升率两者因为状态不一样,测试方法及考量方法不能替用。测试晶闸管静态抗电压上升率参数,市面上有相应的一些简易测试工具或设备。但针对晶闸管的动态抗电压上升率,目前市面上即没有相应测试工具或设备,也没有相应的考量方法。
实用新型内容
本公开一些实施例提供一种测试电路,包括:包括门极,第一电极和第二电极的双向晶闸管;电感,其第一端电连接至所述第二电极;第一电容,其第一电极板与所述电感的第二端通过第一节点电连接,第二电极板通过第二节点与所述第一电极电连接;第一电阻,与所述第一电容并联在第一节点和第二节点之间;以及直流电源,其正极通过第二电阻电连接至第一节点,其负极电连接至第二节点。
在一些实施例中,测试电路还包括:门极控制装置,用于向所述门极提供开启信号。
在一些实施例中,所述开启信号为脉冲信号。
在一些实施例中,所述直流电源为直流稳压电源,所述直流稳压电源输出的电压是连续可调的。
在一些实施例中,测试电路还包括:串联的第一开关、第三电阻及第二电容,所述串联的第一开关、第三电阻及第二电容与所述双向晶闸管并联在所述电感的第一端和所述第二节点之间。
在一些实施例中,所述第二电容为可调电容。
在一些实施例中,测试电路,还包括:至少一个支路,与所述双向晶闸管并联在所述电感的第一端和所述第二节点之间,其中,所述至少一个支路中的每一个包括串接的开关、电阻及电容。
在一些实施例中,测试电路还包括:二极管,串接在所述直流电源和所述第二电阻之间,其中,所述二极管的阳极与所述直流电源的正极电连接,所述二极管的阴极与所述第二电阻电连接。
在一些实施例中,所述第一电容与所述电容在所述双向晶闸管导通时构成谐振电路,所述谐振电路的谐振频率等于市电频率。
本公开一些实施例提供一种测试系统,包括:前述实施例所述的测试电路;以及示波器,显示所述双向晶闸管第一电极侧和第二电极侧之间的电压,并显示流过所述第一电极的电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力特半导体(无锡)有限公司,未经力特半导体(无锡)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922373426.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。