[实用新型]一种光伏组件及光伏系统有效
申请号: | 201922334514.1 | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN210897310U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 陈辉;董经兵 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 韩晓园 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 系统 | ||
本实用新型公开了一种光伏组件及光伏系统,其中光伏组件包括相对设置的盖板、背板和采用封装胶膜封装于所述盖板和所述背板之间的光伏电池,所述封装胶膜包括正面封装层和背面封装层。所述正面封装层或者所述背面封装层包括覆盖于所述光伏电池一侧的POE层以及围绕与所述POE层四周边缘的边沿EVA层。本实用新型在背板或盖板边缘与电池片的边缘之间的区域采用与光伏电池中的另一面相同材质的封装材料进行封装,保障了封装后双面组件的稳定性。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,特别是一种光伏组件及光伏系统。
背景技术
随着科学技术的不断发展,光伏发电作为一种绿色环保可再生的能源生产方式,已广泛应用于人们的日常生活以及工业中,且推动了国家经济的持续发展。但在实际应用中,光伏组件随着光照及工作时间的延长,会出现效率的衰减,如何降低光伏组件的效率衰减则是业内一直希望解决的问题。PID效应(Potential Induced Degradation)又称电势诱导衰减,作为光伏组件效率衰减的重要方面,其产生机制通常与影响光伏组件功率衰减的其他因素交织在一起。
研究发现采用POE膜层替代传统EVA膜层,能够提高光伏组件的水汽阻隔性能,进而改善PID现象。虽然采用POE膜层能够使成品器件拥有较好的可靠性,且有效改善了PID现象,但是采用POE膜层封装在封装技术中成本较高,抬高了组件整体的生产成本,且装备时间较长,导致生产耗时长。现有技术中公开了通过POE膜层和EVA膜层混合使用的方式对光伏电池进行封装。具体的,对光伏电池中稳定性较好的一面使用成本低廉,装配速度快的EVA膜层封装,对稳定性较差的一面使用可靠性较高,成品良率较高的POE膜层封装。但是采用上述方式进行封装,由于POE膜层和EVA膜层之间的融合性相对较差的问题,在封装后的光伏组件的边沿位置容易产生缝隙,从而降低光伏组件的稳定性。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种光伏组件,以解决现有技术中的技术问题,它通过对光伏电池中稳定性较差的一面使用POE材质进行封装,而在背板或盖板边缘与电池片的边缘之间的区域采用与光伏电池中的另一面相同材质的封装材料进行封装,保障了封装后双面组件的稳定性。
本实用新型提供了一种光伏组件,包括相对设置的盖板、背板和采用封装胶膜封装于所述盖板和所述背板之间的光伏电池,所述封装胶膜包括正面封装层和背面封装层,
所述正面封装层或者所述背面封装层包括覆盖于所述光伏电池一侧的POE层以及围绕与所述POE层四周边缘的边沿EVA层。
作为本实用新型的进一步改进,所述正面封装层包括位于光伏电池正面侧的POE层及围绕于所述POE层四周的边沿EVA层,所述背面封装层包括位于光伏电池背面侧的EVA层。
作为本实用新型的进一步改进,所述光伏电池为N型双面电池,所述盖板和所述背板均为透明板。
作为本实用新型的进一步改进,所述背面封装层包括位于所述光伏电池背面侧的POE层及围绕于该POE层四周的边沿EVA层,所述正面封装层包括位于光伏电池正面侧的EVA层。
作为本实用新型的进一步改进,所述光伏电池为P型双面电池,所述盖板和所述背板均为透明板。
作为本实用新型的进一步改进,所述POE层与所述边沿EVA层的总面积不小于所述盖板或所述背板的面积。
作为本实用新型的进一步改进,所述边沿EVA层位于所述光伏电池的外缘和所述盖板的边缘之间,所述POE层的外缘与所述边沿EVA层相接。
作为本实用新型的进一步改进,所述边沿EVA层呈矩形框状沿所述POE层的四周分布。
作为本实用新型的进一步改进,所述正面封装层的厚度为0.45-0.8mm;所述背面封装层的厚度为0.45-0.8mm。
一种光伏系统,包括上述所述的光伏组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的