[实用新型]一种体积小、大容量电容有效
| 申请号: | 201922321835.8 | 申请日: | 2019-12-19 |
| 公开(公告)号: | CN210865932U | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
| 发明(设计)人: | 赵慧兰 | 申请(专利权)人: | 中山市万东电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01G4/32 | 分类号: | H01G4/32;H01G4/228;H01G4/005 |
| 代理公司: | 中山颖联知识产权代理事务所(普通合伙) 44647 | 代理人: | 钟作亮;何卓南 |
| 地址: | 528400 广东省中山市大涌镇青岗村“*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 体积 容量 电容 | ||
本实用新型涉及一种体积小、大容量电容,包括由芯子叠材卷绕而成的电容芯子和与电容芯子连接的引出导针,所述电容芯子包括金属化层、第一电介质层、第二电介质层以及铝箔层,所述第一电介质层位于金属化层的一侧,所述第二电介质层位于所述金属化层背离第一电介质层的一侧,所述铝箔层与所述第一电介质层为一体成型,所述铝箔层位于所述第一电介质层上背离金属化层的一侧。该实用新型,不仅增加电容器的耐电流能力,而且体积小、结构紧凑、省材。
技术领域
本实用新型涉及电容器技术领域,特别涉及一种体积小、大容量电容。
背景技术
电容器作为基本元器件,其在电路中有不可替代的作用。特别是金属化薄膜电容器以无极性、容量大耐温度高、自愈性好,介电强度高,低介电损耗、高绝缘强度等广泛用于滤波、傍路、耦合、谐振以及隔直等电路中。
但是将一些电容器用于如TV三合一板上,这些电容器的耐电流能力不够,不能满足要求,其次,如果想要解决这个问题,必须要在电介质层增加金属层,在电介质层增加金属层虽然能解决电容器的耐电流能力不够的问题,同时产生了另外一个问题,电容器的体积变大和用料增加。除此之外,芯子叠材数量也相对增多,在得加工时,机器上放置叠材数量的机构随之增加,使得加工更为复杂,加工效率极大程度上有所下降。
因此,有必要设计一种体积小、大容量电容,以解决上述技术问题。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种体积小、大容量电容,不仅增加电容器的耐电流能力,而且体积小、结构紧凑、省材。
本实用新型所采用的技术方案为:
一种体积小、大容量电容,包括由芯子叠材卷绕而成的电容芯子和与电容芯子连接的引出导针,所述电容芯子包括金属化层、第一电介质层、第二电介质层以及铝箔层,所述第一电介质层位于金属化层的一侧,所述第二电介质层位于所述金属化层背离第一电介质层的一侧,所述铝箔层与所述第一电介质层为一体成型,所述铝箔层位于所述第一电介质层上背离金属化层的一侧。
作为优选,所述铝箔层包括第一铝箔层和第二铝箔层,所述第一电介质层的两侧分别设有与第一铝箔层和第二铝箔层对应的连接让位槽,所述第一铝箔层的端面与第二铝箔层的端面平齐。
作为优选,两个所述连接让位槽之间设有将所述第一铝箔层和第二铝箔层隔开的隔离凸起。
作为优选,所述第一铝箔层的宽度为W1,所述第一铝箔层远离第二铝箔层的一端与第一电介质层的端部的距离为S1,其中,0<S1<W1/2。
作为优选,所述第二铝箔层的宽度为W2,所述第二铝箔层远离第一铝箔层的一端与第一电介质层的端部的距离为S2,其中,0<S2<W2/2。
作为优选,所述金属化层包括绝缘层,所述绝缘层上设有容置凹槽,所述容置凹槽上设有金属层。
作为优选,所述容置凹槽的厚度与所述金属层的厚度相同。
作为优选,所述金属层与绝缘层为一体成型的。
本实用新型的有益效果在于:
(1)本实用新型的铝箔层与第一电介质层为一体成型,一方面减少电容芯子的体积,另一方面减少芯子叠材数量,从而降低机器上放置叠材数量的机构,进而使得加工变得简单,提高工作效率;
(2)本实用新型所设置的金属化层,增加电容芯子与引线的接触面积,同时将金属层置于金属化层的容置凹槽上,增加电容器的耐电流能力,与现有技术对比,其占用空间更小,缩小电容器的体积;
(2)本实用新型的金属层与绝缘层为一体成型的,使得电容芯子结构紧凑、省材,而且无需增加芯子叠材,简化加工工序,提高加工效率。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山市万东电子科技有限公司,未经中山市万东电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922321835.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





