[实用新型]缓冲装置、芯片及电子设备

说明书

本实用新型涉及一种缓冲装置、芯片及电子设备，所述装置包括：电压调整模块，包括第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS，所述电压调整模块用于接收输入电压，并利用所述第一PMOS的阈值电压对所述输入电压进行调整，输出驱动电压；缓冲模块，电连接于所述电压调整模块，用于接收输入信号，并在所述驱动电压下对所述输入信号进行缓冲，输出缓冲后的信号。本实用新型实施例可以利用第一PMOS的阈值电压对输入电压进行调整，得到的驱动电压可以对缓冲模块的工艺角(corner)进行补偿，使得缓冲模块的翻转点电压范围变小，满足工艺要求。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种缓冲装置、芯片及电子设备。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，数字缓冲器的应用越来越广泛，相关技术通常采用施密特触发器电路实现数字缓冲器以实现确保低延迟，然而，由于采用电源电压直接对数字缓冲器进行供电，形成数字缓冲器的晶体管由于工艺上存在缺陷，其翻转点电压变化范围太大，无法满足要求。

实用新型内容

技术问题

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题是，如何降低缓冲装置翻转点电压变化范围。

解决方案

为了解决上述技术问题，根据本实用新型的一实施例，提供了一种缓冲装置，所述装置包括：

电压调整模块，包括第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS，所述电压调整模块用于接收输入电压，并利用所述第一PMOS的阈值电压对所述输入电压进行调整，输出驱动电压；

缓冲模块，电连接于所述电压调整模块，用于接收输入信号，并在所述驱动电压下对所述输入信号进行缓冲，输出缓冲后的信号。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述电压调整模块还包括第一电流源、第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第一电容，其中：

所述第一电流源的正极电连接于所述第三电阻的第一端，用于接收所述输入电压，所述第一电流源的负极电连接于所述第一PMOS的源极、所述第一NMOS的栅极、所述第一电容的第一端，其中，所述输入电压为电源电压，

所述第一PMOS的栅极电连接于所述第一PMOS的漏极及所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端电连接于所述第二电阻的第一端，

所述第三电阻的第二端电连接于所述第一NMOS的漏极，

所述第一NMOS的源极电连接于所述第四电阻的第一端及所述缓冲模块，用于输出所述驱动电压，

所述第二电阻的第二端、所述第一电容的第二端、所述第四电阻的第二端接地。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述电压调整模块还包括第二电流源、第二NMOS、第五电阻、第六电阻、第七电阻及第二电容，其中：

所述第二电流源的正极电连接于第六电阻的第一端，用于接收电源电压，所述第二电流源的负极电连接于所述第一PMOS的源极、所述第二NMOS的栅极、所述第二电容的第一端，

所述第一PMOS的栅极用于接收所述输入电压，所述第一PMOS的漏极电连接于所述第五电阻的第一端，

所述第六电阻的第二端电连接于所述第二NMOS的漏极，

所述第二NMOS的源极电连接于所述第七电阻的第一端及所述缓冲模块，用于输出所述驱动电压，

所述第五电阻的第二端、所述第二电容的第二端、所述第七电阻的第二端接地。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述电压调整模块还包括第一运算放大器、第八电阻、第九电阻、第十电阻，其中：