[实用新型]一种具有定位防脱落功能的硅片有效

专利信息
申请号: 201922185777.0 申请日: 2019-12-09
公开(公告)号: CN211711526U 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 王瑞斌 申请(专利权)人: 赛驰(宁波)电子科技有限公司
主分类号: B65D59/00 分类号: B65D59/00;B65D85/30
代理公司: 北京世誉鑫诚专利代理有限公司 11368 代理人: 孙国栋
地址: 315000 浙江省宁波市江北区长兴路*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 定位 脱落 功能 硅片
【说明书】:

实用新型公开了一种具有定位防脱落功能的硅片,包括硅片本体、紧固扭簧、防护边框、弹性底板和弹性顶板,在硅片安装到设备内部的过程中,通过防护边框和前凸边以及后凸边的设置,可对硅片本体起到一定的隔离缓冲作用,避免硅片本体直接与外部坚硬物体发生碰撞,导致硅片破裂损坏,从而提高了硅片自身的防护性能,延长了硅片使用的整体寿命,降低了使用的成本,通过弹性底板、弹性底板、定位隔腔和紧固扭簧的设置,可对防护边框起到一定的支撑作用,使防护边框能够进行一定程度的膨胀,从而与安装空间的外壁进行一定的弹性抵触,起到一定的定位固定作用,防止长期使用过程中硅片出现松动脱落,导致设备运行出现问题。

技术领域

本实用新型涉及硅片技术领域,具体是一种具有定位防脱落功能的硅片。

背景技术

硅片是硅的单晶体,是一种具有基本完整的点阵结构的晶体,不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料,用于制造半导体器件、太阳能电池等,用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成,熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成三维空间长程有序的形式成为单晶硅,单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性,超纯的单晶硅是本征半导体,在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体,如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体,单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅,单晶硅主要用于制作半导体元件,硅结晶型的硅是暗黑蓝色的,很脆,是典型的半导体,化学性质非常稳定,在常温下,除氟化氢以外,很难与其他物质发生反应。

现有的硅片在安装到设备内部的过程中,很容易会与外物相互碰撞磕碰,从而导致硅片缺角或破裂,现有硅片自身强度较差,降低了使用寿命,另一方面,硅片安装于设备中,长期使用过程中容易松动,导致设备运行不正常。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有定位防脱落功能的硅片,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种具有定位防脱落功能的硅片,包括硅片本体,所述硅片本体的外侧环绕设置有防护边框,所述防护边框的内侧环绕设置有定位隔腔,所述定位隔腔的顶部内壁环绕固定安装有弹性顶板,所述弹性顶板对应的定位隔腔底部皆环绕固定安装有弹性底板,所述弹性底板和弹性顶板之间皆固定安装有紧固扭簧。

作为本实用新型进一步的方案:所述防护边框的两侧分别一体成型设置有前凸边和后凸边,且防护边框、前凸边和后凸边为具有弹性的硅胶材质。

作为本实用新型再进一步的方案:所述防护边框的外沿边与硅片本体之间的距离为0.3厘米。

作为本实用新型进一步的方案:所述前凸边和后凸边突出硅片本体的高度皆为0.2厘米。

作为本实用新型进一步的方案:所述弹性底板和弹性顶板的数量和排布间距可根据实际防护边框的周长进行合理设置有,且不得少于四个。

作为本实用新型进一步的方案:所述硅片本体延伸至防护边框内壁,且硅片本体的外沿和防护边框的内壁通过粘贴剂粘合固定连接。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、在硅片安装到设备内部的过程中,通过防护边框和前凸边以及后凸边的设置,可对硅片本体起到一定的隔离缓冲作用,避免硅片本体直接与外部坚硬物体发生碰撞,导致硅片破裂损坏,从而提高了硅片自身的防护性能,延长了硅片使用的整体寿命,降低了使用的成本。

2、通过弹性底板、弹性底板、定位隔腔和紧固扭簧的设置,可对防护边框起到一定的支撑作用,使防护边框能够进行一定程度的膨胀,从而与安装空间的外壁进行一定的弹性抵触,起到一定的定位固定作用,防止长期使用过程中硅片出现松动脱落,导致设备运行出现问题。

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