[实用新型]长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 201922134675.6 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN210693015U | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 黄珊珊;黄辉廉;文宏;叶旺;刘建庆 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/30 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 冯炳辉 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 gainnas ingaas 复合 量子 垂直 发射 激光器 | ||
1.长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器，包括GaAs衬底，其特征在于：所述GaAs衬底为n型单晶片，即n型GaAs衬底，在所述n型GaAs衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有n型GaAs缓冲层、n型DBR、非掺杂量子点有源层和p型DBR，在所述p型DBR上制备有上电极，在所述n型GaAs衬底的下表面制备有下电极；其中，所述非掺杂量子点有源层由非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点和非掺杂GaAs势垒层混合而成，所述非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点区分有内、外两部分，其内部为呈3D岛状结构的GaInNAs量子点，其外部为InGaAs包覆层，所述InGaAs包覆层包覆GaInNAs量子点，通过调整InGaAs包覆层中的铟的含量来缓冲GaInNAs量子点与非掺杂GaAs势垒层间由晶格常数差异导致的应力，通过调整GaInNAs量子点中的氮及铟的含量来控制激光器的发射波长达到1.31至1.55μm。
2.根据权利要求1所述的长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述GaInNAs量子点的生长温度在480～520℃，直径3nm至30nm。
3.根据权利要求1所述的长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述InGaAs包覆层的生长温度在480～520℃，厚度为3nm至30nm。
4.根据权利要求1所述的长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述非掺杂GaAs势垒层的厚度为5nm至50nm。
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