[实用新型]一种喷嘴高度的微调装置有效

专利信息
申请号: 201922077806.1 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN211801924U 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 吕健 申请(专利权)人: 无锡升滕半导体技术有限公司
主分类号: B05B15/68 分类号: B05B15/68
代理公司: 无锡松禾知识产权代理事务所(普通合伙) 32316 代理人: 花修洋
地址: 214000 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 喷嘴 高度 微调 装置
【说明书】:

本实用新型公开了一种喷嘴高度的微调装置,包括底座、活塞块、旋钮和喷嘴;所述底座设置有进气通道和出气通道,所述进气通道和出气通道上下交错设置,所述活塞块设置有导气通道,所述导气通道的一端与出气通道相通,所述导气通道的另一端与进气通道相通,所述活塞块与旋钮上下滑动连接,转动旋钮可使活塞块上下移动,所述喷嘴可与活塞块固定连接。本实用新型所述的一种用于控制进气量的微调装置,能够实现喷嘴的上下微小调整,保证镀膜质量。

技术领域

本实用新型涉及一种微调装置,尤其涉及一种喷嘴高度的微调装置。

背景技术

在对晶元喷气镀膜时,需要控制气嘴与晶元之间的距离,以保证晶元的镀膜效果。调节气嘴与晶元之间的距离能够调节晶元与气嘴之间的气体浓度。但是气嘴与晶元之间的距距离不能大幅度调节,否则会产生较大的偏差。

发明内容

发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种喷嘴高度的微调装置,以实现对气嘴与晶元之间距离的微调。

技术方案:为实现上述目的,本实用新型的一种喷嘴高度的微调装置,包括底座、活塞块和旋钮;所述底座设置有进气通道和出气通道,所述进气通道和出气通道上下交错设置,所述活塞块设置有导气通道,所述导气通道的一端与出气通道相通,所述导气通道的另一端与进气通道相通,所述活塞块与旋钮上下滑动连接,转动旋钮可使活塞块上下移动。

进一步地,还包括支撑座;所述支撑座连接于所述底座的上表面,所述底座设置有与进气通道和出气通道相通的下通腔,所述支撑座设置有上通腔,所述上通腔与下通腔相通,所述活塞块滑动连接于所述上通腔和下通腔中。

进一步地,所述旋钮旋转连接于所述上通腔的顶部,所述活塞块的顶端通过螺纹与旋钮连接。

进一步地,所述活塞块包括本体和连接块,所述连接块与本体固定,所述连接块通过螺纹与旋钮连接。

进一步地,所述活塞块的底部设置有第一空腔,所述第一空腔与出气通道相通,所述第一空腔的侧壁上设置有若干进气孔,所述进气孔与所述进气通道相通,所述进气孔与第一空腔连通组成导气通道。

进一步地,所述第一空腔的底部连接有喷嘴,所述喷嘴滑动连接于出气通道中。

有益效果:本实用新型的一种喷嘴高度的微调装置,所述活塞上下移动,同时带动喷嘴上下移动,从而能够调节喷嘴与晶元之间的距离;所述活塞块通过螺纹与旋钮连接,扭动旋钮就能实现活塞块的上下移动,从而实现喷嘴的微调。

附图说明

附图1为本实用新型的结构示意图;

附图2为本实用新型的结构俯视图;

附图3为附图2中A-A的结构剖视图;

附图4为附图2中B-B的结构剖视图;

附图5为本实用新型的结构爆炸图;

附图6为本实用新型所述本体的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图1至附图6对本实用新型作更进一步的说明。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡升滕半导体技术有限公司,未经无锡升滕半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922077806.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top