[实用新型]一种喷嘴高度的微调装置有效
申请号: | 201922077806.1 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN211801924U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 吕健 | 申请(专利权)人: | 无锡升滕半导体技术有限公司 |
主分类号: | B05B15/68 | 分类号: | B05B15/68 |
代理公司: | 无锡松禾知识产权代理事务所(普通合伙) 32316 | 代理人: | 花修洋 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 喷嘴 高度 微调 装置 | ||
本实用新型公开了一种喷嘴高度的微调装置,包括底座、活塞块、旋钮和喷嘴;所述底座设置有进气通道和出气通道,所述进气通道和出气通道上下交错设置,所述活塞块设置有导气通道,所述导气通道的一端与出气通道相通,所述导气通道的另一端与进气通道相通,所述活塞块与旋钮上下滑动连接,转动旋钮可使活塞块上下移动,所述喷嘴可与活塞块固定连接。本实用新型所述的一种用于控制进气量的微调装置,能够实现喷嘴的上下微小调整,保证镀膜质量。
技术领域
本实用新型涉及一种微调装置,尤其涉及一种喷嘴高度的微调装置。
背景技术
在对晶元喷气镀膜时,需要控制气嘴与晶元之间的距离,以保证晶元的镀膜效果。调节气嘴与晶元之间的距离能够调节晶元与气嘴之间的气体浓度。但是气嘴与晶元之间的距距离不能大幅度调节,否则会产生较大的偏差。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种喷嘴高度的微调装置,以实现对气嘴与晶元之间距离的微调。
技术方案:为实现上述目的,本实用新型的一种喷嘴高度的微调装置,包括底座、活塞块和旋钮;所述底座设置有进气通道和出气通道,所述进气通道和出气通道上下交错设置,所述活塞块设置有导气通道,所述导气通道的一端与出气通道相通,所述导气通道的另一端与进气通道相通,所述活塞块与旋钮上下滑动连接,转动旋钮可使活塞块上下移动。
进一步地,还包括支撑座;所述支撑座连接于所述底座的上表面,所述底座设置有与进气通道和出气通道相通的下通腔,所述支撑座设置有上通腔,所述上通腔与下通腔相通,所述活塞块滑动连接于所述上通腔和下通腔中。
进一步地,所述旋钮旋转连接于所述上通腔的顶部,所述活塞块的顶端通过螺纹与旋钮连接。
进一步地,所述活塞块包括本体和连接块,所述连接块与本体固定,所述连接块通过螺纹与旋钮连接。
进一步地,所述活塞块的底部设置有第一空腔,所述第一空腔与出气通道相通,所述第一空腔的侧壁上设置有若干进气孔,所述进气孔与所述进气通道相通,所述进气孔与第一空腔连通组成导气通道。
进一步地,所述第一空腔的底部连接有喷嘴,所述喷嘴滑动连接于出气通道中。
有益效果:本实用新型的一种喷嘴高度的微调装置,所述活塞上下移动,同时带动喷嘴上下移动,从而能够调节喷嘴与晶元之间的距离;所述活塞块通过螺纹与旋钮连接,扭动旋钮就能实现活塞块的上下移动,从而实现喷嘴的微调。
附图说明
附图1为本实用新型的结构示意图;
附图2为本实用新型的结构俯视图;
附图3为附图2中A-A的结构剖视图;
附图4为附图2中B-B的结构剖视图;
附图5为本实用新型的结构爆炸图;
附图6为本实用新型所述本体的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图1至附图6对本实用新型作更进一步的说明。
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