[实用新型]一种显影装置有效
| 申请号: | 201921984981.2 | 申请日: | 2019-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN210605359U | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
| 发明(设计)人: | 王子民;苏川辉;方楷 | 申请(专利权)人: | 江西齐拓芯片科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/40 | 分类号: | G03F7/40;G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 田磊 |
| 地址: | 332000 江西省九江市九江经*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显影 装置 | ||
本实用新型公开一种显影装置,包括显影管路和冲洗管路,显影管路和冲洗管路均连接喷洒管道,喷洒管道的两端封堵并且其至少一端设置有超声波装置,超声波装置包括超声波振动子,喷洒管道包括内壁和外壁,内壁和外壁之间设置有电热丝,喷洒管道上设置有朝下的电控喷头,电控喷头的下方设置有承片台,喷洒管道上还设置有与电控喷头相对应的温度传感器,超声波装置、电热丝、电控喷头、温度传感器均连接控制器,控制器连接有电源。喷出的去离子水中具有声波能量,能够更有效的清洁晶圆表面杂质,保证了显影液的温度不偏离预设温度,从而保证了显影均匀性。
技术领域
本实用新型涉及站岗装置技术领域,具体来说,涉及一种显影装置。
背景技术
在晶圆上制作集成电路的过程中,显影是光刻工艺中将曝光后的光刻胶图案化去除的步骤,其动作顺序为喷淋显影液、去离子水冲洗以及甩干三个过程。由于显影液的反应过程是酸碱中和反应,因此当在晶圆上用去离子水清洗时,晶圆中心点的强碱性骤降,酸碱中和反应发生逆反应,从而导致不溶物质析出回粘到晶圆上的问题产生。特别是在晶圆上连接孔的制程工艺中,当不溶物质析出后使连接孔被残留物遮挡住,会导致晶圆后续蚀刻制程失效,蚀刻后的连接孔图形丢失或不完整,使得晶圆产品的良率降低。
针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
针对相关技术中的上述技术问题,本实用新型提出一种显影装置,喷出的去离子水中具有声波能量,能够更有效的清洁晶圆表面杂质。
为实现上述技术目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:
一种显影装置,包括显影管路和冲洗管路,所述显影管路和冲洗管路均连接喷洒管道,所述喷洒管道的两端封堵并且其至少一端设置有超声波装置,所述超声波装置包括超声波振动子,所述喷洒管道包括内壁和外壁,所述内壁和所述外壁之间设置有电热丝,所述喷洒管道上设置有朝下的电控喷头,所述电控喷头的下方设置有承片台,所述喷洒管道上还设置有与所述电控喷头相对应的温度传感器,所述超声波装置、所述电热丝、所述电控喷头、所述温度传感器均连接控制器,所述控制器连接有电源。
进一步地,所述内壁和所述外壁之间填充有保温棉。
进一步地,所述承片台上可拆卸地设置有掩模,所述掩模的顶部开设显影液分散槽,所述显影液分散槽内均布有若干分布孔,所述分布孔贯穿所述掩模。
进一步地,所述分布孔的形状为六边形。
本实用新型的有益效果:喷出的去离子水中具有声波能量,能够更有效的清洁晶圆表面杂质,同时去离子水不会在晶圆中心出现酸碱中逆反应现象,缩短了晶圆在清洗液中的浸蚀时间,防止不溶物质的生成,从而保证显影图案的质量,同时保证了显影液的温度不偏离预设温度,从而保证了显影均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本实用新型实施例所述的显影装置的示意图;
图2是根据本实用新型实施例所述的喷洒管道的示意图;
图3是根据本实用新型实施例所述的掩模的示意图。
图中:
1、显影管路;2、冲洗管路;3、喷洒管道;4、超声波装置;5、内壁;6、外壁;7、电热丝;8、电控喷头;9、承片台;10、温度传感器;11、掩模;12、显影液分散槽;13、分布孔。
具体实施方式
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