[实用新型]声学传感器有效
| 申请号： | 201921965715.5 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN210927974U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 端木鲁玉;王德信;方华斌;潘新超 | 申请（专利权）人： | 青岛歌尔智能传感器有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;B81B7/00;B81B7/04 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王迎;袁文婷 |
| 地址： | 266100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 声学 传感器 | ||
1.一种声学传感器，包括基板、设置在所述基板上的MEMS芯片以及与所述基板形成封装结构的外壳，其特征在于，
在所述基板内埋设有ASIC芯片以及与所述ASIC芯片导通的导电层；
所述ASIC芯片通过传感信号导通柱与所述基板内表面的内部焊盘导通，用于传递传感信号；所述导电层通过外部信号导通柱与所述基板外表面的外部焊盘导通，用于实现讯息互通。
2.如权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，
在所述基板上设置有覆盖所述基板内表面和所述基板外表面的接地层；
在所述接地层上设置有避让所述传感信号导通柱和外部信号导通柱的避让孔。
3.如权利要求2所述的声学传感器，其特征在于，
所述接地层与所述外壳固定连接。
4.如权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，
所述内部焊盘通过连接线与所述MEMS芯片导通；
所述外部焊盘通过所述外部焊盘、所述外部信号导通柱以及所述导电层与所述ASIC芯片导通。
5.如权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，
所述导电层设置在ASIC芯片远离所述MEMS芯片的一侧。
6.如权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，
所述导电层设置在ASIC芯片靠近所述MEMS芯片的一侧；并且，
所述传感信号导通柱穿过所述导电层并与所述导电层相隔离。
7.如权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，
所述传感信号导通柱和所述外部信号导通柱分别设置在所述ASIC芯片的两侧。
8.如权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，在所述传感信号导通柱内埋设有连接所述ASIC芯片与所述MEMS芯片的导线；
在所述外部信号导通柱内埋设有连接所述ASIC芯片与所述外部焊盘的导线。
9.如权利要求1所述的声学传感器，其特征在于，
在所述基板内设置有至少两个ASIC芯片，在所述基板上设置有与所述ASIC芯片分别对应的MEMS芯片。
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