[实用新型]一种激光电源的950V恒压控制电路有效

专利信息
申请号: 201921748897.0 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN210351035U 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 袁海平;谭昭富 申请(专利权)人: 深圳镭锳激光科技有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217;H02J7/02
代理公司: 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 代理人: 梁炎芳;谭雪婷
地址: 518000 广东省深圳市光明*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光 电源 950 控制电路
【说明书】:

实用新型公开了一种激光电源的950V恒压控制电路,包括:升压电路和充电控制板;逆变电感L一端与整流桥D连接,其另一端与绝缘栅双极型晶体管IGBT1和绝缘栅双极型晶体管IGBT2的源极连接,绝缘栅双极型晶体管IGBT1和绝缘栅双极型晶体管IGBT2的源极还与二极管D1、二极管D2和二极管D3组成的并联续流模块连接,并联续流模块的另一端依次连接有储能电容C3和储能电容C4,储能电容C4的另一端分别与整流桥D、绝缘栅双极型晶体管IGBT1和绝缘栅双极型晶体管IGBT2的漏极连接;充电控制板与接触器M1和接触器M2控制连接。本实用新型技术方案旨在不增加电源箱电容数量前提下,通过电路改进和电容的选型来提高激光能量峰值。

技术领域

本实用新型涉及激光焊接设备的恒压控制电路技术领域,特别涉及一种激光电源的950V恒压控制电路。

背景技术

市场上已有各种各样的YAG激光焊接设备而配套各种型号激光电源箱,性能也各不一样。电源箱都由充电部分和放电部分组成,充电部分就是要给电源箱里面电容充电到一定恒压值,市面上的充电部分恒压最高是750V,我们知道P=U*I,所以电流I不变情况电压U越大功率P就越大,电功率P大了转化的激光功率就大,从而单点激光能量峰值就越大。所以恒压多少V电压直接影响到激光电源产生的激光能量峰值大小。现在技术缺陷是在没有增加电容数量情况下750V的恒压值不能满足部分客户要求高激光能量峰值要求。如果增加电容数量会增加比较大的成本和改变安装结构,所以数量和结构都不能改变。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种激光电源的950V恒压控制电路,旨在不增加电源箱电容数量前提下,通过电路改进和电容的选型来提高激光能量峰值。

为实现上述目的,本实用新型提出的一种激光电源的950V恒压控制电路,包括:升压电路和充电控制板,所述升压电路包括依次串接的接触器M1、接触器M2、整流桥D、滤波电容C5和变压电路,所述变压电路包括逆变电感L、绝缘栅双极型晶体管IGBT1、绝缘栅双极型晶体管IGBT2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、储能电容C3、储能电容C4;所述逆变电感L一端与所述整流桥D连接,其另一端与所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1和绝缘栅双极型晶体管IGBT2的源极连接,所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1和绝缘栅双极型晶体管IGBT2的源极还与所述二极管D1、所述二极管D2和所述二极管D3组成的并联续流模块连接,所述并联续流模块的另一端依次连接有所述储能电容C3和所述储能电容C4,所述储能电容C4的另一端分别与所述整流桥D、所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1和绝缘栅双极型晶体管IGBT2的漏极连接;所述充电控制板与所述接触器M1和所述接触器M2控制连接,所述充电控制板与所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1和所述绝缘栅双极型晶体管IGBT2的栅极驱动连接。

优选地,所述储能电容C3和所述储能电容C4均为30000UF耐压500V的储能电容。

优选地,所述储能电容C3两端并联有稳压电阻R4,所述储能电容C4两端并联有稳压电阻R5。

优选地,所述接触器M2上并联设置有充电电阻R1、充电电阻R2和充电电阻R3。

优选地,所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1两端并联有吸收电容C1,所述绝缘栅双极型晶体管IGBT2两端并联有吸收电容C2。

优选地,所述充电控制板内设置有两个过压保护电路和模拟IC组成的比较器,所述过压保护电路包括有五个串联的200V二极管。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过电路改进和电容的选型来提高激光能量峰值,能使激光焊接设备的电源箱在体积小巧的同时单点激光能量峰值可以做到8KW的激光电源;同时性能提升同时成本没有增加。

附图说明

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