[实用新型]一种激光电源的950V恒压控制电路有效

专利信息
申请号: 201921748897.0 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN210351035U 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 袁海平;谭昭富 申请(专利权)人: 深圳镭锳激光科技有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217;H02J7/02
代理公司: 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 代理人: 梁炎芳;谭雪婷
地址: 518000 广东省深圳市光明*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光 电源 950 控制电路
【权利要求书】:

1.一种激光电源的950V恒压控制电路,其特征在于,包括:升压电路和充电控制板,所述升压电路包括依次串接的接触器M1、接触器M2、整流桥D、滤波电容C5和变压电路,所述变压电路包括逆变电感L、绝缘栅双极型晶体管IGBT1、绝缘栅双极型晶体管IGBT2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、储能电容C3、储能电容C4;所述逆变电感L一端与所述整流桥D连接,其另一端与所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1和绝缘栅双极型晶体管IGBT2的源极连接,所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1和绝缘栅双极型晶体管IGBT2的源极还与所述二极管D1、所述二极管D2和所述二极管D3组成的并联续流模块连接,所述并联续流模块的另一端依次连接有所述储能电容C3和所述储能电容C4,所述储能电容C4的另一端分别与所述整流桥D、所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1和所述绝缘栅双极型晶体管IGBT2的漏极连接;所述充电控制板与所述接触器M1和所述接触器M2控制连接,所述充电控制板与所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1和所述绝缘栅双极型晶体管IGBT2的栅极驱动连接。

2.如权利要求1所述的激光电源的950V恒压控制电路,其特征在于,所述储能电容C3和所述储能电容C4均为30000UF耐压500V的储能电容。

3.如权利要求1所述的激光电源的950V恒压控制电路,其特征在于,所述储能电容C3两端并联有稳压电阻R4,所述储能电容C4两端并联有稳压电阻R5。

4.如权利要求1所述的激光电源的950V恒压控制电路,其特征在于,所述接触器M2上并联设置有充电电阻R1、充电电阻R2和充电电阻R3。

5.如权利要求1~4任一所述的激光电源的950V恒压控制电路,其特征在于,所述绝缘栅双极型晶体管IGBT1两端并联有吸收电容C1,所述绝缘栅双极型晶体管IGBT2两端并联有吸收电容C2。

6.如权利要求1~4任一所述的激光电源的950V恒压控制电路,其特征在于,所述充电控制板内设置有两个过压保护电路和模拟IC组成的比较器,所述过压保护电路包括有五个串联的200V二极管。

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