[实用新型]一种LED外延结构及悬挂式芯片结构

权利要求书

1.一种LED外延结构，其特征在于：包括衬底，所述衬底上设有第一GaN外延层，所述第一GaN外延层为具有槽面和梁面的沟槽结构，且所述槽面和所述梁面相间设置，所述槽面上覆盖有二氧化硅层或氮化硅层，所述第一GaN外延层的上方对应设有第二GaN外延层，所述第二GaN外延层与所述第一GaN外延层的所述梁面相接，且所述第二GaN外延层与所述二氧化硅层或氮化硅层间具有一间隙，所述第二GaN外延层上设有量子阱层，量子阱层上设有P型GaN层。

2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底、氮化镓衬底或氮化铝衬底中的任意一种。

3.如权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一GaN外延层的厚度为0.3-1um，所述槽面距所述衬底的厚度为0.1-0.8um。

4.一种悬挂式芯片结构，在所述LED外延结构上制得，其特征在于：所述悬挂式芯片结构包括所述衬底，所述衬底上设有所述第一GaN外延层，所述第一GaN外延层为具有所述槽面和所述梁面的沟槽结构，且所述槽面和所述梁面相间设置，所述槽面上覆盖有所述二氧化硅层或氮化硅层，所述第一GaN外延层的上方设有若干悬挂于所述梁面上的第三GaN外延层；

每个所述第三GaN外延层上均设有P电极和N电极，所述P电极包括依次设置于所述第三GaN外延层上的量子阱层、P型GaN层和透明导电薄膜层，所述N电极对应设置于所述P电极的一侧。

5.如权利要求4所述的悬挂式芯片结构，其特征在于：所述透明导电薄膜层为ITO薄膜层、NiAu薄膜层、ZnO薄膜层中的任意一种。

6.如权利要求5所述的悬挂式芯片结构，其特征在于：所述透明导电薄膜层的厚度为0.1-10nm。