[实用新型]MC低压母线槽有效
申请号: | 201921540897.1 | 申请日: | 2019-09-17 |
公开(公告)号: | CN210838853U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 朱昌东;邓娉平 | 申请(专利权)人: | 广东金铭利电气有限公司 |
主分类号: | H02G5/06 | 分类号: | H02G5/06;H02M7/217;H02M1/32 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 刘自丽 |
地址: | 510000 广东省广州市天河区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | mc 低压 母线槽 | ||
1.一种MC低压母线槽,其特征在于,包括壳体、导电排和绝缘支架,所述导电排和绝缘支架位于所述壳体内,所述壳体包括盖板、底板和侧板,所述盖板、底板和侧板通过螺栓紧固连接在一起;所述绝缘支架包括上支架和下支架,所述上支架和下支架上具有导电排卡槽;所述下支架与所述底板通过螺栓固定在一起;所述上支架通过两个导向杆与所述盖板连接;所述导向杆竖直设置,所述导向杆的一端与所述盖板固定连接,另一端穿过所述上支架后在其端部固定有挡板;在所述两个导向杆上套设有压缩弹簧,所述压缩弹簧位于所述上支架与所述盖板之间;所述底板的上端固定有电路板,所述电路板上设有电源模块;
所述电源模块包括第一电阻、第一电容、第一二极管、第二电阻、第三电阻、第二电容、第三二极管、第一MOS管、第一三极管、第二二极管、第三电容和电压输出端,所述第一电阻的一端、第一二极管的阳极和第二电阻的一端均连接220V交流电的一端,所述第二电阻的另一端与所述第一MOS管的漏极连接,所述第一二极管的阴极分别与所述第三电阻的一端和第二电容的一端连接,所述第一电阻的另一端分别与所述第一电容的一端和第三二极管的阳极连接,所述第三电阻的另一端与所述第二二极管的阴极连接,所述第一三极管的基极与所述第三二极管的阴极连接,所述第一三极管的集电极与所述第一MOS管的栅极连接,所述第一MOS管的源极分别与所述第三电容的一端和电压输出端的一端连接,所述第一电容的另一端、第二电容的另一端、第一三极管的发射极、第二二极管的阳极、第三电容的另一端和电压输出端的另一端均连接220V交流电的另一端,所述第三二极管的型号为E-183。
2.根据权利要求1所述的MC低压母线槽,其特征在于,所述电源模块还包括第四二极管,所述第四二极管的阳极与所述第一MOS管的源极连接,所述第四二极管的阴极分别与所述第三电容的一端和电压输出端的一端连接。
3.根据权利要求2所述的MC低压母线槽,其特征在于,所述第四二极管的型号为S-822T。
4.根据权利要求3所述的MC低压母线槽,其特征在于,所述电源模块还包括第四电阻,所述第四电阻的一端与所述第一MOS管的栅极连接,所述第四电阻的另一端与所述第一三极管的集电极连接。
5.根据权利要求4所述的MC低压母线槽,其特征在于,所述第四电阻的阻值为43kΩ。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的MC低压母线槽,其特征在于,所述第一三极管为NPN型三极管。
7.根据权利要求1至5任意一项所述的MC低压母线槽,其特征在于,所述第一MOS管为N沟道MOS管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东金铭利电气有限公司,未经广东金铭利电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921540897.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电连接器的接地结构
- 下一篇:一种缠绕式结构的密封垫片