[实用新型]一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路有效

专利信息
申请号: 201921528389.1 申请日: 2019-09-16
公开(公告)号: CN210157280U 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 沈吉;那启跃;戴放;于洪洲 申请(专利权)人: 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
主分类号: H04N5/372 分类号: H04N5/372;H03B5/24
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 耿英
地址: 215163 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 emccd 高压 正弦 驱动 信号 发生 电路
【权利要求书】:

1.一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路,其特征是,包括二级线圈、连接在二级线圈初级回路的NMOS管和连接在二级线圈次级回路的LCR振荡电路与二极管;

方波时序信号输入至NMOS管的栅极,NMOS管的漏极与初级线圈输入端连接;

二级线圈次级线圈输出端经LCR振荡回路输出正弦波;通过控制二级线圈初级回路的输入电压调整输出的正弦波高电平;通过调整二极管的偏置电压调整输出的正弦波低电平。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路,其特征是,通过控制输入NMOS管的栅极上的方波信号的频率和相位调整产生的所述正弦波的频率和相位。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路,其特征是,通过调整NMOS的栅极信号的占空比和LCR回路中的电容C来调整所述正弦波的波形。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路,其特征是,方波时序信号由FPGA单元产生。

5.根据权利要求1所述的一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路,其特征是,NMOS管采用增强型NMOS管。

6.根据权利要求1所述的一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路,其特征是,所述二级线圈采用双孔磁环线圈。

7.根据权利要求1所述的一种低功耗EMCCD高压正弦驱动信号发生电路,其特征是,NMOS管导通期间,二级线圈互感耦合,在次级线圈内形成电流,对次级回路LCR振荡电路中的电容进行充电,形成次级回路的初始电压,并补偿次级回路中损失的能量,维持次级线圈的振荡。

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