[实用新型]一种可控硅器件有效
| 申请号： | 201921496834.0 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN210403737U | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张潘德;赖首雄;蓝浩涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市德芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/74;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 刘永康 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 器件 | ||
1.一种可控硅器件，其特征在于，包括：具有第一导电类型的衬底层；
设置于所述衬底层的第一侧，且具有第二导电类型的正面阳极层，所述正面阳极层呈“凸”形结构，且所述正面阳极层的凸起部位于所述正面阳极层的基部与所述衬底层之间；
设置于所述衬底层的第二侧，且具有第二导电类型的背面阳极层，所述背面阳极层呈“凸”形结构，且所述背面阳极层的凸起部位于所述背面阳极层的基部与所述衬底层之间，所述衬底层的第二侧与所述衬底层的第一侧相对；
设置于所述衬底层的第一侧，与所述衬底层接触，用于将所述正面阳极层分割为有效正面阳极层和无效正面阳极层的正面隔离层；所述正面隔离层的深度大于所述正面阳极层的厚度，且所述正面隔离层与所述正面阳极层的凸起部之间设有正面衬底隔离区；
设置于所述衬底层的第二侧，与所述衬底层接触，用于将所述背面阳极层分割为有效背面阳极层和无效背面阳极层的背面隔离层；所述背面隔离层的深度大于所述背面阳极层的厚度，且所述背面隔离层与所述背面阳极层的凸起部之间设有背面衬底隔离区；
设置于所述有效正面阳极层上的多个正面金属层；
设置于所述有效正面阳极层与所述正面金属层之间，且具有第一导电类型的多个正面阴极区；
设置于所述有效背面阳极层上的背面金属层；以及
设置于所述有效背面阳极层与所述背面金属层之间，且具有第一导电类型的背面阴极区。
2.如权利要求1所述的可控硅器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
3.如权利要求1所述的可控硅器件，其特征在于，所述正面阳极层的基部的厚度为10-30um。
4.如权利要求1所述的可控硅器件，其特征在于，所述正面阳极层的凸起部的厚度为25-35um。
5.如权利要求1所述的可控硅器件，其特征在于，所述正面衬底隔离区的宽度为1-15um。
6.如权利要求1所述的可控硅器件，其特征在于，所述隔离层为绝缘材料。
7.如权利要求6所述的可控硅器件，其特征在于，所述绝缘材料为二氧化硅。
8.如权利要求1所述的可控硅器件，其特征在于，所述正面阴极区的厚度为10-25um。
9.如权利要求1所述的可控硅器件，其特征在于，所述正面金属层为金属铝。
10.如权利要求1所述的可控硅器件，其特征在于，所述背面金属层为金属银。
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