[实用新型]一种民用空燃比传感器芯片及民用空燃比传感器有效

专利信息
申请号: 201921281559.0 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN210347524U 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 余昌艳;洪旭;张财盛 申请(专利权)人: 厦门海赛米克新材料科技有限公司
主分类号: G01N27/407 分类号: G01N27/407;G01N27/409
代理公司: 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 代理人: 梁锦平
地址: 361000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 民用 传感器 芯片
【权利要求书】:

1.一种民用空燃比传感器芯片,其特征在于:包括:

固体电解质层,上表面设置有外电极,下表面设置有内电极;

扩散基体层,设置于所述固体电解质层的下方;

加热器层,设置于所述扩散基体层的下方;

多孔扩散障碍层,设置于所述扩散基体层上,一端覆盖于所述内电极的表面,另一端延伸至所述扩散基体层的边缘处,且该多孔扩散障碍层具有能相互连通的气孔,使气体有一定障碍地由扩散基体层外侧引入至所述内电极处。

2.如权利要求1所述的一种民用空燃比传感器芯片,其特征在于:

所述多孔扩散障碍层的气孔率在10%~40%之间。

3.如权利要求1所述的一种民用空燃比传感器芯片,其特征在于:

所述多孔扩散障碍层为直线型、L型和往复回折型的薄片状结构。

4.如权利要求1所述的一种民用空燃比传感器芯片,其特征在于:所述固体电解质层还具有一多孔保护层,该多孔保护层覆盖于所述外电极的表面。

5.一种民用空燃比传感器,其特征在于:具有如权利要求1至4任一项所述的民用空燃比传感器芯片。

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