[实用新型]分体式气体分散片及离子源系统有效
| 申请号: | 201921223573.5 | 申请日: | 2019-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN210341042U | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
| 发明(设计)人: | 赵向仁;黄坤;袁怀刚 | 申请(专利权)人: | 威海世高光电子有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王茹 |
| 地址: | 264200 山东省威海市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 体式 气体 分散 离子源 系统 | ||
本实用新型公开了一种分体式气体分散片及离子源系统,所述气体分散片包括分体式设计的基体及导磁片,所述基体及导磁片的平面均呈圆形,所述基体上设有圆形的容置槽,所述导磁片固定安装于基体上的容置槽内。本实用新型将气体分散片中的基片和导磁片进行分体式设置,导磁片的锥面结构能够减少导磁片消耗,交换时只需更换中间导磁片部分,节约成本,保证了膜层品质。
技术领域
本实用新型涉及光学镀膜技术领域,特别是涉及一种分体式气体分散片及离子源系统。
背景技术
真空蒸镀法是一种属于物理气相沉积的真空镀膜技术。真空镀膜是真空应用领域的一个重要方面,它是以真空技术为基础,利用物理或化学方法,并吸收电子束、分子束、离子束、等离子束、射频和磁控等一系列新技术,为科学研究和实际生产提供薄膜制备的一种新工艺。简单地说,就是在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发或溅射,使其在被涂覆的物体(称基板、基片或基体)上凝固并沉积的方法,称为真空镀膜。它是将蒸镀的材料置于一个坩埚之中,通过对坩埚的加热,使坩埚内材料从固态转化为气态的原子、原子团或分子,然后凝聚到待镀膜的基板表面形成薄膜,该技术广泛应用于光学镜片镀膜、光通讯、太阳能电池及液晶显示等领域。
参图1所示,离子源系统是真空镀膜设备的一种辅助系统,其作用主要是提高镀膜材料分子沉积速度,从而提高膜层密度,工作原理是:在真空环境下,利用发射的电子在电场(阴极灯丝和放电阳极)和磁场的相互作用下,使充入真空室的工作气体产生离化,在电场和磁场的作用下发射离子。
参图2、图3所示为现有技术中气体分散片100’的结构示意图,其为一体式结构,包括基体10’及位于基体上的导磁片20’,导磁片20’表面为平面结构,气体分散片在使用过程中会出现以下问题:收到离子轰击产生损耗造成离子发出角度变小,束流降低影响膜层分子移动能量,膜层密度降低品质下降。一体式气体分散片更换成本高,更换方法复杂。
因此,针对上述技术问题,有必要提供一种分体式气体分散片及离子源系统。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种分体式气体分散片及离子源系统。
为了实现上述目的,本实用新型一实施例提供的技术方案如下:
一种分体式气体分散片,所述气体分散片包括分体式设计的基体及导磁片,所述基体及导磁片的平面均呈圆形,所述基体上设有圆形的容置槽,所述导磁片固定安装于基体上的容置槽内。
作为本实用新型的进一步改进,所述导磁片包括导磁片主体部及位于所述导磁片主体部上的导磁片锥形部。
作为本实用新型的进一步改进,所述导磁片主体部的外径等于容置槽的内径,所述导磁片主体部的厚度大于容置槽的深度。
作为本实用新型的进一步改进,所述导磁片锥形部的锥面与底面的夹角为5°~25°。
作为本实用新型的进一步改进,所述导磁片锥形部的锥面与底面的夹角为15°~18°。
作为本实用新型的进一步改进,所述容置槽的底部设有贯穿基体的通孔,所述通孔的内径小于容置槽的内径。
作为本实用新型的进一步改进,所述基体上沿容置槽的外侧设有若干贯穿基体的出气孔。
作为本实用新型的进一步改进,所述基体外边缘上设有若干贯穿基体的固定孔。
本实用新型另一实施例提供的技术方案如下:
一种离子源系统,所述离子源系统包括位于真空腔体中的电场产生单元和磁场产生单元、以及用于分散工作气体的气体分散片,所述气体分散片为上述的分体式气体分散片。
本实用新型的有益效果是:
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