[实用新型]一种充电盒电磁兼容电路、充电盒以及电动汽车有效

专利信息
申请号: 201921190745.3 申请日: 2019-07-26
公开(公告)号: CN210337602U 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 刘卓;高新杰 申请(专利权)人: 北京新能源汽车股份有限公司
主分类号: B60L53/10 分类号: B60L53/10
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;安利霞
地址: 102606 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 充电 电磁 兼容 电路 以及 电动汽车
【权利要求书】:

1.一种充电盒电磁兼容电路,其特征在于,包括:

产生充电控制引导CP信号的驱动电路(1);

晶体管电路(2),与所述驱动电路连接;

电容电路(3),与所述晶体管电路连接;

抑制所述CP信号上干扰信号的电磁抗干扰性电路(4),与所述晶体管电路连接。

2.根据权利要求1所述的充电盒电磁兼容电路,其特征在于,所述驱动电路(1),包括:

并联连接的第一电阻(R1)和第二电阻(R2)以及第三电阻(R3)。

3.根据权利要求2所述的充电盒电磁兼容电路,其特征在于,所述晶体管电路(2),包括:

第一MOSFET管(Q1)和第二MOSFET管(Q2);

所述第一电阻(R1)的一端与控制端连接,另一端与第一MOSFET管(Q1)的栅极连接;

所述第二电阻(R2)的一端与控制端连接,另一端与第二MOSFET管(Q2)的栅极连接;

所述第三电阻(R3)的一端与所述第一MOSFET管(Q1)的漏极连接,并与所述第二MOSFET管(Q2)的漏极连接;

所述第一MOSFET管(Q1)的源极与电源负极连接;

所述第二MOSFET管(Q2)的源极与电源正极连接。

4.根据权利要求3所述的充电盒电磁兼容电路,其特征在于,所述第一MOSFET管(Q1)为N沟道MOSFET管;所述第二MOSFET管(Q2)为P沟道MOSFET管。

5.根据权利要求3所述的充电盒电磁兼容电路,其特征在于,所述电容电路(3),包括:

第一电容(C1)和第二电容(C2);

所述第一电容(C1)的一端与所述第一MOSFET管(Q1)的源极连接,另一端接地;

所述第二电容(C2)的一端与第二MOSFET管(Q2)的源极连接,另一端接地。

6.根据权利要求3所述的充电盒电磁兼容电路,其特征在于,所述电磁抗干扰性电路(4),包括:

片式磁珠(L1)、双向TVS管(D1)和钳位二极管(D2);

所述片式磁珠(L1)的输入端与所述第三电阻(R3)连接;

所述双向TVS管(D1)的一端与电源负极连接,另一端与所述片式磁珠(L1)的输出端和CP信号输出端连接;

所述钳位二极管(D2)的一端与电源负极连接,另一端与电源正极连接,管脚与所述片式磁珠(L1)的输出端和所述CP信号输出端连接。

7.根据权利要求5所述的充电盒电磁兼容电路,其特征在于,所述第一电容(C1)和第二电容(C2)均为退耦电容。

8.一种电动汽车充电盒,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的充电盒电磁兼容电路。

9.一种电动汽车,其特征在于,包括如权利要求8所述的电动汽车充电盒。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京新能源汽车股份有限公司,未经北京新能源汽车股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921190745.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top