[实用新型]一种蛛网栅线结构的双面太阳能电池片有效
申请号: | 201921145164.8 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN210073870U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 钮阿兴;翟文杰 | 申请(专利权)人: | 宜兴锦尚太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/054 |
代理公司: | 32208 无锡市天宇知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 蒋何栋 |
地址: | 214200 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体硅片 扩散层 栅线结构 本实用新型 背面电极 金属电极 金属片 上表面 下表面 蛛网状 栅线 双面太阳能电池片 太阳能电池领域 双面发电 转化效率 钝化膜 基体层 附着 浆料 | ||
本实用新型公开了一种蛛网栅线结构的双面太阳能电池片,涉及太阳能电池领域,包括晶体硅片、设置于晶体硅片上表面的金属电极以及设置于晶体硅片下表面的背面电极,其特征在于,所述晶体硅片由上下依次分布的上扩散层、基体层和下扩散层构成,上扩散层的上表面和下扩散层的下表面均附着有一层钝化膜;所述金属电极和背面电极均为栅线结构,晶体硅片的上下外表面的中心均设置有一圆形的金属片,栅线以金属片为中心向外呈蛛网状分布,本实用新型采用双面蛛网状栅线结构,可双面发电,且有利于电流的收集,减少栅线浆料的用量,降低了成本,提高了转化效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种蛛网栅线结构的双面太阳能电池片。
背景技术
目前的太阳能电池片通常为单面受光,受光面面积较小,一旦出现破损等情况,就会导致无法正常工作。这导致了双面太阳能电池片的应运而生,与常规太阳能电池制备工艺相比,双面电池只是在原有的工艺基础上采用背面印刷铝栅线替代常规太阳能电池的全铝背场结构,在保持太阳能电池正面高转换效率的同时,背面也可以发电。然而目前的太阳能电池的电池效率相对较低。
中国专利文献CN207753030U公开了“一种双面太阳能电池片”,包括两个背面连接的硅片,每个硅片的正面还烧结有多条横向的副栅线和多条竖向的主栅线,每条主栅线均由镂空节点构成,相邻镂空节点相交。其采用两个背面连接的硅片的结构形式,实现了太阳能电池片双面都能接收光照,并采用菱形镂空节点,节省银浆用量。这种结构仍存在一定的不足之处:采用双硅片的形式,明显提高了硅片的使用量,相应增加了成本;栅线仍采用分段的条状结构,远离银背电极处的电流收集比较困难,影响电池性能。
总而言之,对双面太阳能电池片,其背面转换效率的提升还有很大开发空间。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述技术的问题,提供一种结构简单、可双面发电、成本低廉的蛛网栅线结构的双面太阳能电池片,提升了太阳能电池组件的输出功率。
为实现上述实用新型目的,本实用新型的技术方案是:一种蛛网栅线结构的双面太阳能电池片,包括晶体硅片、设置于晶体硅片上表面的金属电极以及设置于晶体硅片下表面的背面电极,其特征在于,所述晶体硅片由上下依次分布的上扩散层、基体层和下扩散层构成,上扩散层的上表面和下扩散层的下表面均附着有一层钝化膜;所述金属电极和背面电极均为栅线结构,晶体硅片的上下外表面的中心均设置有一圆形的金属片,栅线以金属片为中心向外呈蛛网状分布。
进一步地,所述金属片焊接于栅线与晶体硅片的外表面,金属片为正银薄片,其直径为5mm。
进一步地,所述栅线的宽度为50μm~100μm。
进一步地,所述基体层为N型硅片,上扩散层为硼扩散层,下扩散层为磷扩散层。
进一步地,所述金属电极和背面电极均为正银或银铝电极。
进一步地,所述钝化膜为氧化铝膜,减少光的反射损失,增强了吸收光的强度。
本实用新型的有益效果:本电池片的蛛网状栅线与中心金属片配合,有利于电流的收集,提高了电池性能,同时蛛网结构减少了栅线的分布面积,即减少了栅线浆料的用量,降低了成本,增加了受光面,进一步提高了转化效率;无需双硅片叠加,减少了硅片用量,降低了成本。
附图说明
图1为本实用新型的主视图。
图2为本实用新型的俯视图。
图中:晶体硅片1、金属电极2、背面电极3、上扩散层11、基体层12、下扩散层13、钝化膜4、金属片5、栅线6。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宜兴锦尚太阳能科技有限公司,未经宜兴锦尚太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921145164.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的