[实用新型]多晶铸锭冷却装置有效

专利信息
申请号: 201921127299.1 申请日: 2019-07-17
公开(公告)号: CN210134184U 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 欧子杨;金浩;张涛;陈骏;肖贵云;白枭龙;汪沛渊;晏文勇 申请(专利权)人: 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 孙晓红
地址: 334100 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 多晶 铸锭 冷却 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种多晶铸锭冷却装置,包括冷却装置本体和用以驱动所述冷却装置本体沿竖直方向上下运动的驱动机构;所述冷却装置本体的第一面设有用以反射来自加热器的热辐射的反射涂层,所述冷却装置本体的第二面设有用以供冷却风流经的冷却气道。上述多晶铸锭冷却装置改善了硅料的散热,便于精确控制合适的温度梯度,为晶体生长提供足够的驱动力,提高了硅锭长晶成型效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能光伏领域,特别涉及一种多晶铸锭冷却装置。

背景技术

多晶铸锭炉冷却装置是指晶体定向生长中用以冷却降温提供温度梯度的装置。

在多晶铸锭中,通过控制一定的温度梯度来控制晶体的生长,温度梯度的实现主要依靠隔热笼的升降或底部DS台的传热,但是这种散热方式往往不够精确,冷却速度较慢,提供晶体生长的动力不足,长晶时间过长。

因此,如何解决硅料的散热问题,精确控制合适的温度梯度,为晶体生长提供足够的驱动力成为本领域技术人员需要解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种多晶铸锭冷却装置,上述多晶铸锭冷却装置改善了硅料的散热,便于精确控制合适的温度梯度,为晶体生长提供足够的驱动力,提高了硅锭长晶成型效率。

为实现上述目的,本实用新型提供一种多晶铸锭冷却装置,包括冷却装置本体和用以驱动所述冷却装置本体沿竖直方向上下运动的驱动机构;

所述冷却装置本体的第一面设有用以反射来自加热器的热辐射的反射涂层,所述冷却装置本体的第二面设有用以供冷却风流经的冷却气道。

可选地,所述冷却气道包括多条相互平行且水平设置水平管道,还包括:设于所述水平管道的进口端、与多条所述水平管道垂直连通的进口总管,设于所述水平管道的出口端、与多条所述水平管道垂直连通的出口总管。

可选地,所述冷却气道为蛇形弯管,所述蛇形弯管的主体水平设置且所述蛇形弯管的进口端设于所述冷却装置本体底部的一侧,所述蛇形弯管的出口端设于所述冷却装置本体顶部的一侧。

可选地,还包括设于所述冷却气道的进口、用以检测冷却风流量的流量检测装置。

可选地,还包括与所述流量检测装置串接、用以调整所述冷却气道的进口开度的进口控制阀。

可选地,所述进口控制阀为电动阀,还包括连接所述流量检测装置和所述进口控制阀、用以当所述流量检测装置检测到进气流量偏离预设值时,调整所述进口控制阀开度以控制进气流量至预设值的控制装置。

相对于上述背景技术,本实用新型所提供的多晶铸锭冷却装置包括冷却装置本体和驱动冷却装置本体作竖直方向上运动的驱动机构,可将该多晶铸锭冷却装置设置在DS台的底部;DS台是设置在多晶铸锭炉底部用来支撑坩埚并进行热交换的石墨台。冷却装置本体包括设置在第一面的反射涂层和设置在第二面的冷却气道。在多晶铸锭过程中,首先将盛满硅料的坩埚置于多晶铸锭炉内的石墨台进行加热熔化,在长晶过程中,需要控制一定的温度梯度来控制长晶的过程,单独依靠DS台或DS台配合笨重的隔热笼散热无法满足需求。

本实用新型通过增设多晶铸锭冷却装置,硅料熔化时,冷却装置本体位于DS台的底部,不影响DS台上方的硅料的熔化,长晶时,通过驱动机构驱动冷却装置本体逐步向上运动,逐步对硅料进行冷却,推动硅料长晶,并随着长晶的高度及固液界面控制冷却装置本体上升,以便于精确的控制控制硅料的散热和温度梯度。提升了硅料冷却速度,为晶体生长提供充足的动力。通过反射涂层反射来自加热器的热辐射,并通过控制冷却气道的冷却风的流量和流速实现对温度梯度的精确控制,提高长晶效率。

附图说明

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