[实用新型]多级异型缓流装置

说明书

本实用新型提供了一种多级异型缓流装置，包括：炉体；自上而下沿炉体内壁两侧交替设置的若干个储料盘；所述储料盘包括：盘体；所述盘体边缘设有边框，连接炉体内壁的另一侧设有出料口；通过所述出料口与所述盘体相连楔形溢流口；设置在上方的储料盘的楔形溢流口与设置在下方的储料盘的盘体垂直相对。与现有技术相比，本实用新型提供的多级异型缓流装置采用特定结构，能够延长溶解的物料在炉体中的滞留时间，有效扩大物料与热气流的接触面积，从而能够对硼酸实现充分、均匀脱水，提高脱水效率。

技术领域

本实用新型涉及氧化硼合成技术领域，更具体地说，是涉及一种多级异型缓流装置。

背景技术

近年来，砷化镓半导体在发光器件和高频器件需求旺盛，业内公司除积极扩产外，晶体良品率的提升也将极大推动产能扩大满足市场需求。目前，国内生产砷化镓的晶体生长良品率一般在70％以下，与国外相关技术的晶体生长良品率达80％以上存在明显差距；因此，开发新技术以提高砷化镓的晶体生长良品率，进而提高半导体晶体电性能成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

作为砷化镓单晶生长的重要原料，高纯氧化硼对提高砷化镓的晶体生长良品率具有重要作用。但是，现有技术中高纯氧化硼的制备方法中原料硼酸的脱水工艺非常简陋，具体为：将水解高纯硼酸混合液依次经过滤、100℃蒸发干燥，得到初级脱水高纯硼酸，再用40cm×30cm的平底不锈钢托盘装盘，依次经110℃～160℃烘烤箱烘烤8h～14h、静置冷却至常温，得到干燥的高纯硼酸包装捆扎；该工艺虽然设备成本低(仅用烘烤箱)、操作简单，但是存在脱水不均匀、不充分且效率低的缺点，这是由于平底不锈钢托盘放置的初级脱水高纯硼酸不便翻动，仅靠长时间烘烤脱水，脱水效率低，且结块部分或料块内部脱水不充分，而料块外部或疏松部位的原料则已比较干燥。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种多级异型缓流装置，能够对硼酸实现充分、均匀脱水，提高脱水效率。

本实用新型提供了一种多级异型缓流装置，包括：

炉体；

自上而下沿炉体内壁两侧交替设置的若干个储料盘；

所述储料盘包括：

盘体；所述盘体边缘设有边框，连接炉体内壁的另一侧设有出料口；

通过所述出料口与所述盘体相连楔形溢流口；

设置在上方的储料盘的楔形溢流口与设置在下方的储料盘的盘体垂直相对。

优选的，所述储料盘连接炉体内壁的一侧设有连接孔，用于将所述储料盘固定在炉体上。

优选的，所述边框为圆弧型，圆弧面向所述盘体外侧凸出。

优选的，所述出料口为开口缩窄的出料口。

优选的，所述楔形溢流口沿所述开口缩窄的出料口开口渐宽。

优选的，所述储料盘的个数为3个～6个。

本实用新型提供了一种多级异型缓流装置，包括：炉体；自上而下沿炉体内壁两侧交替设置的若干个储料盘；所述储料盘包括：盘体；所述盘体边缘设有边框，连接炉体内壁的另一侧设有出料口；通过所述出料口与所述盘体相连楔形溢流口；设置在上方的储料盘的楔形溢流口与设置在下方的储料盘的盘体垂直相对。与现有技术相比，本实用新型提供的多级异型缓流装置采用特定结构，能够延长溶解的物料在炉体中的滞留时间，有效扩大物料与热气流的接触面积，从而能够对硼酸实现充分、均匀脱水，提高脱水效率。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的多级异型缓流装置的俯视图；