[实用新型]研磨垫修整装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种研磨垫修整装置。所述研磨垫修整装置包括：第一修整盘，用于修整一研磨垫；第二修整盘，用于修整所述研磨垫，且环绕所述第一修整盘的外周设置；驱动结构，连接所述第一修整盘和所述第二修整盘，用于分别控制所述第一修整盘与所述研磨垫是否接触以及所述第二修整盘与所述研磨垫是否接触。本实用新型提高了研磨垫修整装置的修整性能，改善了对研磨垫的修整效果，最终实现对晶圆质量的提高。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种研磨垫修整装置。

背景技术

化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是一个通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用的工艺。研磨过程中研磨头施加一定的压力在晶圆背面使晶圆正面紧贴研磨垫。同时，研磨头带动晶圆和研磨垫同方向旋转，使晶圆正面与研磨垫产生机械摩擦。在研磨过程中，通过一系列复杂的机械和化学作用去除晶圆表面的一层薄膜，从而达到晶圆平坦化的目的。

但是随着化学机械研磨过程的不断进行，研磨垫的物理及化学性能会发生变化，表现为研磨垫表面产生残余物质，微孔的体积缩小、数量减少，表面粗糙度降低，表面发生分子重组现象，形成一定厚度的釉化层，导致研磨速率和研磨质量的降低。因此，必须对研磨垫进行适当的修整，磨蚀该研磨垫的表面并开孔，且在研磨垫的表面上创建微凸物，即以物理方式穿透该研磨垫表面的多孔层。

典型的修整器一般是金刚石修整器，包括基底以及固结在基底研磨面上的金刚石颗粒，在进行修整时研磨面与研磨垫表面平行。在利用修整器对研磨垫进行修整的过程中，修整器同时作转动及往复平移运动，且修整器以一定压力压在研磨垫表面，使得金刚石研磨颗粒与研磨垫表面接触并对研磨垫进行切削，从而实现对研磨垫表面的研磨修整，使得研磨垫表面得到所需的粗糙度，最终改善晶圆的研磨速率。

但是，当前的研磨垫修整装置由于其结构的限制(只具有一个修整盘)，切削速率单一，这就导致：一方面，对不同的研磨垫只能采用同一速率进行切削，对不同类型研磨垫的修整效果不一，影响后续晶圆的研磨；另一方面，随着使用时间的延长，修整盘的修整性能下降，导致研磨垫表面不同区域的修整效果不一致，影响研磨垫的研磨速率，最终影响晶圆质量。

因此，如何改善研磨垫修整装置的修整性能，确保晶圆质量，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种研磨垫修整装置，用于解决现有的研磨垫修整装置修整性能较差的问题，以实现对最终晶圆质量的改善。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种研磨垫修整装置，包括：

第一修整盘，用于修整一研磨垫；

第二修整盘，用于修整所述研磨垫，且环绕所述第一修整盘的外周设置；

驱动结构，连接所述第一修整盘和所述第二修整盘，用于分别控制所述第一修整盘与所述研磨垫是否接触以及所述第二修整盘与所述研磨垫是否接触。

优选的，所述第一修整盘的截面为圆形，所述第二修整盘的截面为圆环形；所述第二修整盘的轴线与所述第一修整盘的轴线重合，且所述第一修整盘与所述第二修整盘之间具有一间隙。

优选的，所述驱动结构包括：

第一驱动器；

伸缩柱，一端连接所述第一驱动器、另一端连接所述第一修整盘，所述第一驱动器用于驱动所述伸缩柱沿竖直方向伸缩运动，以调整所述第一修整盘与所述研磨垫之间的距离。

优选的，所述驱动结构还包括：

第二驱动器；

转轴，一端连接所述第二驱动器、另一端连接所述第一修整盘，所述第二驱动器用于通过所述转轴驱动所述第一修整盘自转，以修整所述研磨垫。