[实用新型]超导线圈固定结构及拉晶设备有效
| 申请号: | 201920919441.X | 申请日: | 2019-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN210177007U | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
| 发明(设计)人: | 冯斌;郭如勇;汤洪明;刘黎明;门玉娟 | 申请(专利权)人: | 杭州慧翔电液企业管理合伙企业(有限合伙) |
| 主分类号: | C30B30/04 | 分类号: | C30B30/04;C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 311113 浙江省杭州市余杭区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 超导 线圈 固定 结构 设备 | ||
本实用新型属于单晶硅制备设备技术领域,公开了一种超导线圈固定结构及拉晶设备,为改善超导线圈与安装骨架之间的连接容易松脱的问题而设计。该超导线圈固定结构包括安装骨架和至少一对超导线圈固定座,安装骨架包括环形上骨架和环形下骨架,每对超导线圈固定座均包括在安装骨架上相对设置的两个超导线圈固定座;各超导线圈固定座均一端与环形上骨架连接,另一端与环形下骨架连接,且各超导线圈固定座上朝向环形上骨架内部的一端的端面与环形上骨架内壁面以及环形下骨架内壁面的相应部分共同构成用于安装待固定的超导线圈的安装部。该拉晶设备包括上述超导线圈固定结构。本实用新型超导线圈固定结构及拉晶设备用于单晶硅制备过程中。
技术领域
本实用新型涉及单晶硅制备设备技术领域,尤其涉及一种超导线圈固定结构及拉晶设备。
背景技术
磁场直拉法制备单晶硅时,是在直拉法制备单晶硅的过程中,对坩埚内的熔体施加一个横向的电磁场,以抑制溶体的热对流现象,从而控制晶体中的氧含量。
现有技术中,磁场直拉法的拉晶设备中,用于施加电磁场的各超导线圈是直接通过螺栓固定于安装骨架的外部的。相对设置的一对超导线圈,由于磁极相反(即一个为N极,一个为S极),会产生相互排斥的力,而两个超导线圈之间相互排斥的力的大小又是循环变化的,两个超导线圈之间斥力的忽大忽小很容易造成各超导线圈与安装骨架之间的连接松脱,不利于拉晶设备的稳定工作。
实用新型内容
本实用新型的第一目的在于提供一种超导线圈固定结构,以改善现有技术中磁场直拉法的拉晶设备中,超导线圈直接通过螺栓固定于安装骨架的外部,两个超导线圈之间的斥力忽大忽小,容易造成各超导线圈与安装骨架之间连接松脱的问题。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种超导线圈固定结构包括安装骨架和至少一对超导线圈固定座,其中,所述安装骨架包括相互连接的环形上骨架和环形下骨架,每对所述超导线圈固定座均包括在所述安装骨架上相对设置的两个超导线圈固定座;各所述超导线圈固定座均一端与所述环形上骨架连接,另一端与所述环形下骨架连接,且各所述超导线圈固定座上朝向所述环形上骨架围设区域内部的一端的端面与所述环形上骨架内壁面的相应部分以及所述环形下骨架内壁面的相应部分共同构成用于安装待固定的超导线圈的安装部。
作为优选,所述安装骨架的高度小于或者等于待固定的超导线圈的线圈架的外径,所述超导线圈固定座的上端凸出所述安装骨架的上端。
作为优选,所述安装骨架的高度小于或者等于待固定的超导线圈的线圈架的外径,所述超导线圈固定座的下端凸出所述安装骨架的下端。
作为优选,所述超导线圈固定座为环形结构。
作为优选,所述超导线圈固定座包括上弧段、下弧段以及两个中间弧段,其中,所述上弧段设置于所述环形上骨架的上端,所述下弧段设置于所述环形下骨架的底端,两个所述中间弧段均一端与所述环形上骨架连接,另一端与所述环形下骨架连接。
作为优选,所述超导线圈固定座背离所述环形上骨架围设区域内部的一端的端面与所述环形上骨架的外壁面以及所述环形下骨架的外壁面处于同一曲面内。
作为优选,包括两对所述超导线圈固定座。
本实用新型的第二目的在于提供一种拉晶设备,以改善现有技术中存在的磁场直拉法的拉晶设备中,超导线圈直接通过螺栓固定于安装骨架的外部,两个超导线圈之间的斥力忽大忽小,容易造成各超导线圈与安装骨架之间连接松脱问题。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种拉晶设备包括上述内容所述的超导线圈固定结构。
本实用新型的有益效果:
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