[实用新型]超高频RFID标签及标签天线有效
申请号: | 201920909205.X | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN209946935U | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 周露涛 | 申请(专利权)人: | 上海联贤智能科技有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077;H01Q1/22;H01Q1/38 |
代理公司: | 31312 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 田强 |
地址: | 201199 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 标签天线 超高频 本实用新型 等效电流 等效电容 工作频段 结构方式 高增益 加载 走线 标签 侧面 延伸 | ||
本实用新型提出了一种超高频RFID标签及标签天线,其采用等效电容加载的结构方式实现标签天线尺寸小和高增益。具体是利用侧面和地面走线的方式,延伸了标签天线的等效电流路径,从而可以使标签在相同尺寸下,可以到更低的工作频段。
技术领域
本实用新型涉及一种超高频RFID标签及标签天线。
背景技术
对于整个物联网产业而言,RFID是众多数据采集手段中最重要的技术之一。而RFID标签是RFID应用中不可或缺的重要单元之一,其外形尺寸和性能是直接决定应用是否成功的关键。随着RFID应用市场需求的逐年增加,对RFID标签提出了更高的要求:尺寸小而性能好。
现在常规的抗金属超高频RFID标签,一般是由微带天线连接RFID芯片而构成RFID标签,而采用的微带天线辐射机理,结构如图1,该图中示出了辐射单元1、基片2、RFID芯片3、接地部分(GND)4,天线其谐振频率如下:
fr=C/L√ε
其中fr为天线的谐振频率,C为光速,L为天线的等效电流长度,ε为基片的等效介电常数。
随着RFID标签的使用需求来看,需要标签外形尺寸越来越小,而读写距离越来越远,而提升标签的读写距离,根据弗里斯传输公式我们知道:在其他条件不变的情况下,需要进一步提高标签天线的增益(Gain)。
根据微带天线理论,提升标签天线的增益有以下几个方面:
1、在介电常数ε不变得情况下,采用Q值更高的基片材料,从而提升标签天线增益;这点对基片材料而言是一个挑战,尤其是高介电常的材料,这个会增加涉及到材料的开发成本。
2、更改天线的外形尺寸:增加标签天线的厚度;这点让标签的外形尺寸增大。
3、采用更低介电常数ε的基片(通常情况下,基片的介电常数ε越低Q值越高),由天线谐振公式可知,同时使天线外形尺寸变大,从而双方面增强标签天线的增益。这点也是使标签的外形尺寸增大。
4、采用多阵元组阵的形式提升增益,同样会导致标签天线的外形尺寸增加。同样使标签外形尺寸增大。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种超高频RFID标签及标签天线。
为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案为:一种超高频RFID标签天线,其包括:介质基片(101),所述介质基片(101)设置有正面金属微带线(201),所述介质基片(101)贴附安装有金属走线,所述金属走线包括:
设置于介质基片背面的背面第二金属走线(208);
设置于介质基片背面的背面第四金属走线(212)、背面第五金属走线(213),所述背面第四金属走线(212)、背面第五金属走线(213)设置于介质基片靠近其右侧面的两边缘角点位置处;
设置于介质基片左侧面且居中布置的中间金属走线,所述中间金属走线包括左侧面第二金属走线(203)、左侧面第四金属走线(205);
设置于介质基片右侧面且居中布置的右侧面第三金属走线(211);
设置于介质基片两侧的右侧面第一金属走线(206)、右侧面第二金属走线(210);
所述正面金属微带线(201)同时与左侧面第二金属走线(203)、右侧面第一金属走线(206)、右侧面第二金属走线(210)、右侧面第三金属走线(211)物理连接;
所述背面第二金属走线(208)连接于左侧面第四金属走线(205)、右侧面第三金属走线(211);
所述右侧面第一金属走线(206)非正面金属微带线(201)连接端连接于背面第五金属走线(213);
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海联贤智能科技有限公司,未经上海联贤智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920909205.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便于固定的RFID电子标签
- 下一篇:一种颈部标识牌