[实用新型]一种载带驱动芯片用电压准位移位器

说明书

本实用新型提供了一种载带驱动芯片用电压准位移位器，包括偏压控制电路、高压PMOS晶体管、低压PMOS晶体管和高压NMOS晶体管，所述偏压控制电路、高压PMOS晶体管、低压PMOS晶体管和高压NMOS晶体管的数量均为2个，所述每一个偏压控制电路对应电连接于其中一个高压PMOS晶体管的闸极，所述每一个低压PMOS晶体管的汲极对应电连接于其中一个高压PMOS晶体管的源极，所述每一个高压PMOS晶体管的汲极对应电连接于其中一个高压NMOS晶体管的汲极和另一个高压NMOS晶体管的闸极。本实用新型通过设置偏压控制电路使得低压PMOS晶体管的汲极电压不超过低压PMOS晶体管的操作电压，便可以利用低压PMOS晶体管的阈值电压导通特性来使载带驱动芯片用电压准位移位器转态。

技术领域

本实用新型涉及电路设计技术领域，尤其涉及载带驱动芯片用电压准位移位器技术领域。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(英语：Thin film transistor liquid crystaldisplay，常简称为TFT-LCD)是多数液晶显示器的一种，它使用薄膜晶体管技术改善影象品质。在当前迅速发展的液晶显示技术中，薄膜晶体管液晶显示器以其大容量、高清晰度和高品质全真彩色受到人们的广泛青睐。如图1所示，目前TFT液晶面板的闸极驱动器(GateDriver)的架构是利用移位暂存器(shift register)和载带驱动芯片用电压准位移位器(Level shift)，脉冲(STP)和时钟 (CLK)的低压信号通过移位暂存器产生S[1:n]信号，S[1:n]信号为低电压信号 (GND～VDD)，通过载带驱动芯片用电压准位移位器可以转换成高电压输出 (VGL～VGH)进而驱动LCD面板上的薄膜晶体管(TFT)单元，闸极驱动器内部信号脉冲如图2所示。

如图3所示，是目前已知的闸极驱动器载带驱动芯片用电压准位移位器电路图，该电压位准移位器包括第一电压位准移位单元1和第二电压位准移位单元2，第一电压位准移位单元1包括两个第一PMOS晶体管11以及两个第一NMOS晶体管12，第二电压位准移位单元2具有两个第二PMOS晶体管21以及两个第二NMOS 晶体管22；每一个第一PMOS晶体管11的源极都与工作电压VDD连接，每一个第一PMOS晶体管11的源极与基底电连接，每一个第一PMOS晶体管11的汲极分别同时电连接于其中一个第一NMOS晶体管12的汲极与另一个第一NMOS晶体管 12的闸极以形成第一接点3与第二接点4，每一个第一NMOS晶体管12的源极与基底电连接，每一个第一NMOS晶体管12的源极都电连接于反向电荷帮浦VGL，每一个第二POMS晶体管的源极与基底电连接，每一个第二POMS晶体管的源极都电连接于升压电荷帮浦VGH，每一个第二NMOS晶体管22的源极与基底电连接，每一个第二NMOS晶体管22的源极电连接于反向电荷帮浦VGL，每一个第二NMOS 晶体管22的汲极同时电连接于其中一个第二PMOS晶体管21的汲极与另一个第二PMOS晶体管21的闸极，其中一个第二NMOS晶体管22的闸极电连接于第一接点3，另一个第二NMOS晶体管112的闸极电性连接于第二接点4。当第一PMOS 晶体管11的输入电压低于第一PMOS晶体管11的临界电压时，第一PMOS晶体管 11导通，载带驱动芯片用电压准位移位器才能运转，若使用40V高压，因为PMOS 晶体管的临界电压为3V左右，则工作电压VDD仅为3V-3.6V。上述方案需要使用经过特殊设计的两个第一PMOS晶体管11才能对输入电压信号进行降压或是升压。

发明内容

为克服现有技术中存在的需要使用经过特殊设计的两个第一PMOS晶体管11 才能对输入电压信号进行降压或是升压问题，本实用新型提供了一种载带驱动芯片用电压准位移位器。

本实用新型通过以下技术方案实现上述目的：一种载带驱动芯片用电压准位移位器，包括偏压控制电路、高压晶体管、低压元件和高压元件，所述偏压控制电路、高压晶体管、低压元件和高压元件的数量均为2个，所述每一个偏压控制电路对应电连接于其中一个高压晶体管的闸极，所述每一个低压元件的汲极对应电连接于其中一个高压晶体管的源极，所述每一个高压晶体管的汲极对应电连接于其中一个高压元件的汲极和另一个高压元件的闸极。