[实用新型]一种用于磁瓦检测的沉浸式光源结构有效

专利信息
申请号: 201920849482.6 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN210071695U 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 朱培源 申请(专利权)人: 深圳至汉装备科技有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G01N21/88;G03B15/05
代理公司: 11491 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 赵红霞
地址: 518000 广东省深圳市南山区西丽街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 弧形壳体 磁瓦 本实用新型 环形光源 半球形 模组 流水线输送 磁瓦表面 磁瓦检测 光源结构 弧形灯罩 缺陷位置 缺陷状态 下部开口 沉浸式 弧形壳 凹口 弧顶 光照 开口 相机 体内 图像 拍摄 检测 清晰
【说明书】:

实用新型提供了一种用于磁瓦检测的沉浸式光源结构,包括半球形的弧形壳体,在所述弧形壳体的弧顶处设置有开口,在所述弧形壳体下部开口圆周上设置有将光射向所述弧形壳体内壁上的环形光源模组,所述弧形壳体的底部开有两个相对的凹口。本实用新型能通过环形光源模组以及半球形弧形灯罩将磁瓦完全包含在光照范围内,既不影响磁瓦的流水线输送,又能够全方位均匀地对磁瓦拍摄面进行照明,同时突出磁瓦表面的缺陷位置,使相机在获取更清晰的图像同时,更快更容易地确定当前检测磁瓦的缺陷状态。

技术领域

本实用新型涉及磁瓦检测领域,特别涉及一种用于流水线上检测磁瓦表面缺陷用的沉浸式光源结构。

背景技术

对于制造出来的磁瓦,需要进行表面缺陷检测后挑出问题磁瓦。目前可采用图像分析的方式通过获取的磁瓦图像进行缺陷分析,其中,成像系统决定了能够获取多少有用的信息来进行后续的图像处理。

由于磁瓦的表面结构复杂,而且弧面很难均匀照明,这种现象会导致后期图像分析时的精确度下降,而且目前的照明系统也很难兼容不同尺寸的磁瓦。

实用新型内容

本实用新型的目的是要提供涉及一种用于流水线上检测磁瓦表面缺陷用的沉浸式光源结构。

特别地,本实用新型提供了一种用于磁瓦检测的沉浸式光源结构,包括半球形的弧形壳体,在所述弧形壳体的弧顶处设置有开口,在所述弧形壳体下部开口圆周上设置有将光射向所述弧形壳体内壁上的环形光源模组,所述弧形壳体的底部开有两个相对的凹口。

在本实用新型的一个实施方式中,在所述弧形壳体的内壁上涂有对所述环形光源模组的光进行漫反射的反射涂层。

在本实用新型的一个实施方式中,所述环形光源模组分为两组,并分别位于两个所述凹口之间的所述弧形壳体的内侧壁上。

在本实用新型的一个实施方式中,所述环形光源模组包括弧形的开口槽,均匀安装在所述开口槽内的LED灯珠,以及封闭所述开口槽的透明板,所述弧形壳体的底部设置有水平向外部延伸的固定环,所述开口槽的开口端与所述固定环连接,且安装所述LED灯珠的部位延伸至所述弧形壳体内。

在本实用新型的一个实施方式中,所述固定环上设置有调整所述LED灯珠亮度的电压调节开关。

在本实用新型的一个实施方式中,所述弧形壳体的外侧面上对称安装有支撑把手,所述支撑把手的高度高于所述弧形壳体的顶部。

在本实用新型的一个实施方式中,所述凹口的尺寸大于待检测的磁瓦尺寸。

本实用新型能通过环形光源模组以及半球形弧形灯罩将磁瓦完全包含在光照范围内,既不影响磁瓦的流水线输送,又能够全方位均匀地对磁瓦拍摄面进行照明,同时突出磁瓦表面的缺陷位置,使相机在获取更清晰的图像同时,更快更容易地确定当前检测磁瓦的缺陷状态。

附图说明

图1是本实用新型一个实施方式中光学结构的结构示意图;

图2是本实用新型一个实施方式中环形光源模组的俯视图;

图3是图1所示光学结构安装支撑把手的结构示意图。

具体实施方式

如图1所示,在本实用新型一个实施方式中公开一种用于磁瓦检测的沉浸式光源结构,该光源结构包括半球形的弧形壳体10,在弧形壳体10的弧顶处设置有开口11,底部为敞口12,上部开口11为拍摄磁瓦图像的相机镜头的取景口,底部敞口12为磁瓦通过区和取景区,在弧形壳体10下部敞口12圆周上设置有将光射向弧形壳体10内壁处的环形光源模组20,弧形壳体10的底部开有两个相对的凹口13。

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