[实用新型]单晶硅多参量差压传感器

说明书

本实用新型公开了一种单晶硅多参量差压传感器，包括芯片管座；芯片管座下端安装槽内固定有绑定板，绑定板上具有差压芯片、静压芯片、温度芯片，差压芯片和静压芯片为单晶硅芯片，正压端朝下、负压端朝上，最大耐压值为10MPa；芯片管座上部设有正、负压充油导管；芯片管座中部设有相互隔离的正、负压通道，正压通道下端连通差压芯片和静压芯片正压端，正压通道上端连接正压充油导管，负压通道下端连接差压芯片负压端，负压通道上端连接负压充油导管；芯片管座设置有电性接口，电性接口直接贯穿芯片管座和绑定板。该传感器芯片耐压能力达到10MPa，无需中心膜片保护，使得静压量程和差压量程不再受限，解决了微小差压，大静压测量的问题。

技术领域

本实用新型涉及差压传感器，尤其是一种工业级应用的单晶硅多参量差压传感器。

背景技术

差压传感器用于测量液体、气体或蒸汽等流体的压力，把所测压力物理量转换成电信号输出，再通过电路放大补偿调理后将其转变成4～20mA标准电流信号输出。

目前，公知的差压传感器有多种结构形式，有些差压传感器是和静压传感器集成于一体的，对于这种结构形式的差压传感器，有些采用中心膜片保护使得传感器芯片不会因为大压力而损坏，但静压传感器的测量范围就会受到很大的限制，存在很大的测量死区，有些不采用中心膜片保护的结构形式，虽然静压传感器的测量不受影响，但差压量程受到很大限制。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的是提供一种单晶硅多参量差压传感器，该差压传感器和静压传感器集成于一体，传感器芯片本身的耐压能力达到10MPa，无需中心膜片保护。传感器芯片本身高精度高稳定性使得测量噪声非常小，有非常大的分辨率，同时使得静压量程和差压量程不再受到限制，解决了微小差压，大静压测量的问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下的技术方案：一种单晶硅多参量差压传感器，包括芯片管座；

芯片管座下端开设有安装槽，安装槽内固定有绑定板，绑定板上具有两个矩形孔，差压芯片、静压芯片穿过矩形孔并通过胶水和安装槽固定在一起，差压芯片和静压芯片通过绑定线与绑定板绑定连接，温度芯片焊接到绑定板上，差压芯片和静压芯片为单晶硅芯片，且具有正压端和负压端，差压芯片和静压芯片的正压端朝下、负压端朝上，并且差压芯片、静压芯片的最大耐压值为10MPa；

芯片管座的上部设有正压充油导管和负压充油导管，正压充油导管和负压充油导管用于充注导压介质；

芯片管座的中部设有相互隔离的正压通道和负压通道，正压通道下端穿过绑定板并连通差压芯片和静压芯片的正压端，正压通道上端连接正压充油导管，负压通道下端连接差压芯片的负压端，负压通道上端连接负压充油导管；

芯片管座设置有电性接口，电性接口直接贯穿芯片管座和绑定板，通过电性接口实现绑定板与芯片管座的固定，电性接口为差压芯片、静压芯片和温度芯片提供电源并接收差压芯片、静压芯片和温度芯片向外传输的电信号。

进一步的，所述芯片管座中部还设有横孔油道，该横孔油道一端连通负压通道，另一端为外部负压力的入口。

进一步的，所述芯片管座呈上粗下细的梯形圆柱。

进一步的，所述差压芯片和静压芯片均采用德尔森MD系列单晶硅芯片。

有益效果：该传感器芯片具体采用德尔森MD系列单晶硅芯片，该芯片本身的耐压能力达到10MPa，具有高精度、高稳定性、超高过压、高静压等优异性能，无需另外设置过压保护结构，无需中心膜片，结构简单，同时使得静压量程和差压量程不再受到限制，解决了微小差压，大静压测量的问题；集成了差压、静压和温度传感器于一体，温度变化时没有梯度差，使得传感器的补偿更准确，温度跟踪性更好。

附图说明

图1为本实用新型单晶硅多参量差压传感器的俯视图；