[实用新型]具有双通路的过压保护装置

说明书

本实用新型提供的一种具有双通路的过压保护装置，包括所述输入单元的输入端与电源Vin的输出端连接，所述主通断单元和备用通断单元的输入端均与输入单元的输出端连接，所述主通断单元和备用通断单元的输出端向负载供电，所述过压检测比较单元的输入端连接于输入单元的输入端，所述过压检测比较单元的输出端与主通断单元的控制输入端连接，所述基准电压设定单元的输入端与电源Vin的输出端连接，所述基准电压设定单元的输出端与过压检测比较单元的基准电压输入端连接，所述通断控制电路的第一输入端与主通断单元连接，通断控制电路的第二输入端与过压检测比较单元的输出端连接，所述通断控制电路的第一控制输出端和第二控制输出端均与备用通断单元的控制输入端连接。

技术领域

本实用新型涉及一种保护电路，尤其涉及一种具有双通路的过压保护装置。

背景技术

在直流负载中，当输入的直流电压出现电压过高的情况时，会对负载的电子元件造成冲击，从而损坏电子元件，因此，需要采用过压保护电路或装置实现过压保护。

现有的过压保护电路或者过压保护装置一般为单通路的形式，也就是说：现有的过压保护电路具有一个输入输出回路，一旦回路自身的执行保护的开关元件出现故障，无论输入的电压正常与否，都会造成后端的负载无法使用，虽然，现有技术也提出了一些备用回路，但是，其切换一般采用继电器来执行，由于继电器自身的线圈的自感应特性造成的电流不可瞬变，其关断与导通相应时间长，滞后效应明显，不利于供电回路的瞬间切换，从而影响负载的供电。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型旨在提供一种具有双通路的过压保护装置以解决上述技术问题。

本实用新型提供的一种具有双通路的过压保护装置，包括输入单元、主通断单元、备用通断单元、过压检测比较单元、基准电压设定单元以及通断控制电路；

所述输入单元的输入端与电源Vin的输出端连接，所述主通断单元和备用通断单元的输入端均与输入单元的输出端连接，所述主通断单元和备用通断单元的输出端向负载供电，所述过压检测比较单元的输入端连接于输入单元的输入端，所述过压检测比较单元的输出端与主通断单元的控制输入端连接，所述基准电压设定单元的输入端与电源Vin的输出端连接，所述基准电压设定单元的输出端与过压检测比较单元的基准电压输入端连接，所述通断控制电路的第一输入端与主通断单元连接，通断控制电路的第二输入端与过压检测比较单元的输出端连接，所述通断控制电路的第一控制输出端和第二控制输出端均与备用通断单元的控制输入端连接。

优选地，所述主通断单元包括电阻R4、电阻R6、电容C1、PMOS管Q2、三极管Q5、电阻R10以及二极管D1；

所述PMOS管Q2的源极作为主通断单元的输入端与输入单元的输出端连接，所述PMOS管Q2的漏极与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极作为主通断单元的输出端；

电阻R4的一端连接于PMOS管Q2的源极，电阻R4的另一端与PMOS管Q2的栅极连接，PMOS管Q2的栅极通过电阻R6与三极管Q5的集电极连接，三极管Q5的发射极接地，三极管Q5的基极通过电容C1接地，三极管Q5的基极与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端作为主通断单元的控制输入端与过压检测比较单元的输出端连接。

优选地，所述备用通断单元包括电阻R2、电阻R3、PMOS管Q1以及三极管Q8；

所述PMOS管Q1的源极作为备用通断单元的输入端与输入单元的输出端连接，所述PMOS管Q1的漏极作为备用通断单元的输出端；

电阻R2的一端连接于PMOS管Q1的源极，电阻R2的另一端连接于PMOS管Q1的栅极，PMOS管Q1的栅极通过电阻R3与三极管Q8的集电极连接，三极管Q8的发射极接地，三极管Q8的基极作为备用通断单元的控制输入端。

优选地，所述过压检测比较单元包括电阻R13、电阻R14以及比较器U2；