[实用新型]具有双通路的过压保护装置

权利要求书

1.一种具有双通路的过压保护装置，其特征在于：包括输入单元、主通断单元、备用通断单元、过压检测比较单元、基准电压设定单元以及通断控制电路；

所述输入单元的输入端与电源Vin的输出端连接，所述主通断单元和备用通断单元的输入端均与输入单元的输出端连接，所述主通断单元和备用通断单元的输出端向负载供电，所述过压检测比较单元的输入端连接于输入单元的输入端，所述过压检测比较单元的输出端与主通断单元的控制输入端连接，所述基准电压设定单元的输入端与电源Vin的输出端连接，所述基准电压设定单元的输出端与过压检测比较单元的基准电压输入端连接，所述通断控制电路的第一输入端与主通断单元连接，通断控制电路的第二输入端与过压检测比较单元的输出端连接，所述通断控制电路的第一控制输出端和第二控制输出端均与备用通断单元的控制输入端连接。

2.根据权利要求1所述具有双通路的过压保护装置，其特征在于：所述主通断单元包括电阻R4、电阻R6、电容C1、PMOS管Q2、三极管Q5、电阻R10以及二极管D1；

所述PMOS管Q2的源极作为主通断单元的输入端与输入单元的输出端连接，所述PMOS管Q2的漏极与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极作为主通断单元的输出端；

电阻R4的一端连接于PMOS管Q2的源极，电阻R4的另一端与PMOS管Q2的栅极连接，PMOS管Q2的栅极通过电阻R6与三极管Q5的集电极连接，三极管Q5的发射极接地，三极管Q5的基极通过电容C1接地，三极管Q5的基极与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端作为主通断单元的控制输入端与过压检测比较单元的输出端连接。

3.根据权利要求1所述具有双通路的过压保护装置，其特征在于：所述备用通断单元包括电阻R2、电阻R3、PMOS管Q1以及三极管Q8；

所述PMOS管Q1的源极作为备用通断单元的输入端与输入单元的输出端连接，所述PMOS管Q1的漏极作为备用通断单元的输出端；

电阻R2的一端连接于PMOS管Q1的源极，电阻R2的另一端连接于PMOS管Q1的栅极，PMOS管Q1的栅极通过电阻R3与三极管Q8的集电极连接，三极管Q8的发射极接地，三极管Q8的基极作为备用通断单元的控制输入端。

4.根据权利要求1所述具有双通路的过压保护装置，其特征在于：所述过压检测比较单元包括电阻R13、电阻R14以及比较器U2；

所述电阻R13的一端与电源Vin的输出端连接，电阻R13的另一端通过电阻R14接地，电阻R13和电阻R14之间的公共连接点与比较器U2的反相端连接，比较器U2的同相端作为过压检测比较单元的基准电压输入端，比较器U2的输出端作为过压检测比较单元的输出端。

5.根据权利要求4所述具有双通路的过压保护装置，其特征在于：所述基准电压设定单元包括电源电路和基准电压产生电路；

所述电源电路的输入端与电源Vin的输出端连接，电源电路的输出端输出电源VCC，电源电路的输出端与基准电压产生电路的输入端连接，基准电压产生电路的输出端向过压检测比较单元输出基准电压。

6.根据权利要求5所述具有双通路的过压保护装置，其特征在于：所述电源电路包括电阻R18、电阻R19、稳压管DW1、稳压管DW2、三极管Q7以及电容C3；

电阻R8的一端作为电源电路的输入端与电源Vin的输出端连接，电阻R18的另一端与三极管Q7的集电极连接，三极管Q7的发射极与稳压管DW1的负极连接，稳压管DW1的正极接地，电阻R19的一端连接于三极管Q7的集电极，另一端连接于三极管Q7的基极，三极管Q7的基极通过电容C3接地，三极管Q7的基极与稳压管DW2的负极连接，稳压管DW2的正极接地，三极管Q7的发射极与稳压管DW1的负极之间的公共连接点作为电源电路的输出端输出电源VCC。