[实用新型]一种高功率激光器件

说明书

本实用新型公开了一种高功率激光器件，包括基材、激光芯片和胶体，其中，激光芯片固定在基材上，胶体填充在载有激光芯片的基材上。激光芯片通过锡膏固定在基材上。基材为紫铜与氮化铝陶瓷形成的基材。所述胶体为环氧树脂。本实用新型中的基材有优异的散热性能以实现高功率型器件的产品稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体激光领域，特别是一种高功率激光器件。

背景技术

从光通信到消费电子，半导体激光器件迎来爆发。半导体激光器件曾在光通信应用市场里“发光发热”，被广泛关注，现在又增加了3D传感的应用，以市场来说，如果以华为、OPPO、VIVO、三星等为首的高端机型第二梯队快速响应与普及，每年全世界消费10多亿部智能手机，如果每部手机嵌入2-3颗VCSEL激光器件，就是二三十亿颗的市场规模。

半导体激光器件的光学谐振腔与半导体芯片的衬底垂直，能够实现芯片表面的激光发射，有阈值电流低、稳定单波长工作、易高频调制、易二维集成、无腔面阈值损伤、动态单模工作、圆形对称光斑和光纤耦合效率高等优点。

半导体激光器件从诞生起就作为新一代光存储和光通信应用的核心器件，为互联网的需求和光学存储密度的不断提高提供了一条新途径。

随着半导体激光器件的研究深入以及应用需求的拓展，不仅在手机、消费性电子等领域发挥越来越重要的作用，还可以用来进行人脸识别、3D 感测、手势侦测和 VR(虚拟现实)/AR(增强现实)/MR(混合现实)等。当然，将来也可以大量应用在物联网、5G 通信、RF元件、ADAS(先进驾驶系统)等，所以未来应用和市场热度应该会受到更多的重视。

市场研究机构预测，2015年半导体激光器件市场规模为9.546亿美元，至2022年预计将增长至31.241亿美元，2016~2022年期间的复合年增长率可达17.3%。半导体激光器件凭借其紧凑的尺寸、高可靠性、低功耗以及较低的制造成本而应用广泛。而汽车产业电气系统对半导体激光器件的应用增长，正推动整个半导体激光器件的市场增长。目前的激光器件还存在功率不高、可靠性不高、功耗较大的问题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种高功率激光器件，本实用新型实现高功率、高可靠性、低功耗。

本实用新型为解决上述技术问题采用以下技术方案：

根据本实用新型提出的一种高功率激光器件，包括基材、激光芯片和胶体，其中，激光芯片固定在基材上，胶体填充在载有激光芯片的基材上。

作为本实用新型所述的一种高功率激光器件进一步优化方案，激光芯片通过锡膏固定在基材上。

作为本实用新型所述的一种高功率激光器件进一步优化方案，基材为紫铜与氮化铝陶瓷形成的基材。

作为本实用新型所述的一种高功率激光器件进一步优化方案，所述胶体为环氧树脂。

作为本实用新型所述的一种高功率激光器件进一步优化方案，基材的大小为3.8mm*4.0mm*0.8mm。

本实用新型采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：

（1）本实用新型中使用的紫铜基材具有高超的导热性能达到386.4w/(m.k)；

（2）本实用新型中使用的锡膏粘接支架和激光芯片能达到99%的热传导；