[实用新型]一种静电膜双向充电电路有效
申请号: | 201920591753.2 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN209545213U | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 易修强;崔宇浩;王剑 | 申请(专利权)人: | 苏州威尔阳光智能科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 吴芳 |
地址: | 215634 江苏省苏州市张*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电膜 输出端 控制模块 母线电压 导电层 处理器模块 恒压源模块 充电电路 接地端 本实用新型 交变电压 稳定运行 通断 充电 输出 保证 | ||
本实用新型公开了一种静电膜双向充电电路,包括恒压源模块、H桥控制模块、处理器模块、静电膜和导电层,恒压源模块向H桥控制模块提供稳定的母线电压;H桥控制模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、用于连接静电膜的第一输出端及用于连接导电层的第二输出端,第一MOS管、第二MOS管设置在母线电压端与接地端之间的第一支路上,第三MOS管、第四MOS管设置在母线电压端与接地端之间的第二支路上,第一输出端设置在第一MOS管与第二MOS管之间,第二输出端设置在第三MOS管与第四MOS管之间;处理器模块控制四个MOS管的通断,使得第一输出端和第二输出端之间产生交变电压输出,实现静电膜和导电层的双向充电,保证静电膜的稳定运行。
技术领域
本实用新型涉及静电膜驱动控制领域,尤其涉及一种静电膜双向充电电路。
背景技术
在现有技术中,申请号为201610624009.9的中国专利公开了由一种新型材料合成的静电薄膜,如图1所示,主要由弹性卷曲状导电薄膜81、电介质层82、透明导电层83构成,所述透明导电层83贴附在玻璃层84上,其工作原理为:当接入电源85时,所述弹性卷曲状导电薄膜81上和透明导电层83上分别充上正负电子,使得所述弹性卷曲状导电薄膜81在静电力作用下克服自身卷曲力而展开(图1中向左方向展开),展开状态的导电薄膜81与透明导电层83相对设置,等效为电容器。
现有技术中,采用恒压源对所述导电薄膜和透明导电层83进行供电,参见图2,其中SW1为电子控制开关,其由单片机控制闭合或断开动作,这种充电方式造成如下缺陷:只能单方向充电,使得静电易积累,导致静电薄膜运行不稳定。
实用新型内容
为了解决现有技术的问题,本实用新型提供了一种静电膜双向充电电路,防止薄膜积累静电,所述技术方案如下:
本实用新型提供了一种静电膜双向充电电路,包括恒压源模块、H桥控制模块、处理器模块、静电膜和导电层,所述恒压源模块向所述H桥控制模块提供稳定的母线电压;
所述H桥控制模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、用于连接静电膜的第一输出端及用于连接导电层的第二输出端,所述第一MOS管、第二MOS管设置在所述母线电压端与接地端之间的第一支路上,所述第三MOS管、第四MOS管设置在所述母线电压端与接地端之间的第二支路上,所述第一输出端设置在第一MOS管与第二MOS管之间,所述第二输出端设置在第三MOS管与第四MOS管之间;
所述第一MOS管的第一栅极、第二MOS管的第二栅极、第三MOS管的第三栅极、第四MOS管的第四栅极分别与所述处理器模块连接,所述处理器模块控制所述第一MOS管和第四MOS管导通、第二MOS管和第三MOS管关闭,或者,所述处理器模块控制所述第二MOS管和第三MOS管导通、第一MOS管和第四MOS管关闭。
进一步地,所述第一MOS管的漏极与所述母线电压端连接,第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极连接,所述第二MOS管的源极与接地端连接。
进一步地,所述第三MOS管的漏极与所述母线电压端连接,第三MOS管的源极与第四MOS管的漏极连接,所述第四MOS管的源极与接地端连接。
优选地,所述静电膜双向充电电路还包括第一电阻,可选地,所述第一电阻的一端与第一输出端连接,另一端与第一MOS管的源极或第二MOS管的漏极连接;或者,可选地,所述第一电阻的一端与第二输出端连接,另一端与第三MOS管的源极或第四MOS管的漏极连接。
进一步地,所述处理器模块包括单片机和MOS管驱动芯片。
进一步地,所述恒压源模块包括电源,所述电源可选为光伏电源或蓄电池。
进一步地,所述恒压源模块还包括升压芯片和升压电路,所述升压芯片控制升压电路的工作状态。
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