[实用新型]一种三层结构D型光纤SPR传感器有效
| 申请号： | 201920571607.3 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN209459675U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 左子谭;姜守振;申沂明;王志豪;杨文;袭祥泰 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | G01D5/353 | 分类号： | G01D5/353;G01N21/552 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金纳米颗粒层 本实用新型 三层结构 二硫化钨层 局部电磁场 径向截面 纳米间隙 纳米结构 纳米空间 光纤段 灵敏度 传感器 纤芯 光纤 暴露 | ||
【权利要求书】：
1.一种三层结构D型光纤SPR传感器，其特征是，包括D型光纤，所述D型光纤为含有D型段的光纤，所述D型段为一段径向截面为D型的光纤段，D型段的纤芯暴露在D型段的平面上，D型段的平面由下至上依次设有第一金纳米颗粒层、二硫化钨层和第二金纳米颗粒层。
2.如权利要求1所述的传感器，其特征是，D型光纤采用多模光纤。
3.如权利要求1所述的传感器，其特征是，D型段的长度为1～3cm。
4.如权利要求1所述的传感器，其特征是，D型段位于D型光纤的中部。
5.如权利要求1所述的传感器，其特征是，D型段的径向截面高度与D型光纤的半径相等。
6.如权利要求1所述的传感器，其特征是，D型段纤芯的径向截面为D型，D型段纤芯的平面与D型段的平面位于同一平面。
7.如权利要求1所述的传感器，其特征是，D型段的平面光滑度为0.9～1.1A。
8.如权利要求1所述的传感器，其特征是，第一金纳米颗粒层的厚度为40～60nm。
9.如权利要求1所述的传感器，其特征是，二硫化钨层的厚度为1～2nm。
10.如权利要求1所述的传感器，其特征是，第二金纳米颗粒层的厚度为40～60nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东师范大学，未经山东师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920571607.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便携式光纤光栅解调仪
- 下一篇：一种自带零点式拉绳编码器
