[实用新型]一种选择性增强正面钝化的PERC太阳能电池

说明书

本实用新型公开一种选择性增强正面钝化的PERC太阳能电池，在P型硅的背面上依次设有背面钝化膜、全铝背场或铝栅线、背银电极，在背面钝化膜上开有贯通背面钝化膜的开槽，P型硅露于开槽中，全铝背场或铝栅线位于开槽内的部分与P型硅相连，在P型硅的正面上依次设有增强钝化膜、正面钝化膜和正银电极，且增强钝化膜位于P型硅上对应正银电极的区域，增强钝化膜为N型薄膜，在P型硅的正面上对应正银电极以外的区域与正面钝化膜之间设有N型硅。本实用新型正面钝化膜的钝化作用和N型薄膜的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率，增强钝化效果；同时，N型薄膜对于多子来说具有良好的传导性，可降低接触电阻，提高电池的光电转换效率。

技术领域

本实用新型涉及一种选择性增强正面钝化的PERC太阳能电池。

背景技术

晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件。当太阳光照射在半导体P-N结上时，会形成新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后形成电流。

PERC太阳能电池一般采用常规的正面钝化技术，在硅片的正面使用PECVD方式沉积一层氮化硅，以降低少子在前表面的复合速率，提升晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流，从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。

但是，随着当前对晶硅太阳能电池光电转换效率的要求越来越高，如何进一步提高PERC太阳能电池的光电转换效率是目前业界亟待解决的技术难题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种能够提升电池的光电转换效率、成本低、工艺简单的选择性增强正面钝化的PERC太阳能电池。

本实用新型的目的通过如下的技术方案来实现：一种选择性增强正面钝化的PERC太阳能电池，包括背银电极、全铝背场或铝栅线、背面钝化膜、P型硅、N型硅、正面钝化膜和正银电极，在所述P型硅的背面上依次设有所述背面钝化膜、全铝背场或铝栅线、背银电极，在所述背面钝化膜上开有贯通背面钝化膜的开槽，所述P型硅露于所述开槽中，所述全铝背场或铝栅线位于开槽内的部分与所述P型硅相连，其特征在于：在所述P型硅的正面上依次设有增强钝化膜、正面钝化膜和正银电极，且所述增强钝化膜位于P型硅上对应正银电极的区域，所述增强钝化膜为N型薄膜，在P型硅的正面上对应正银电极以外的区域与正面钝化膜之间设有N型硅。

本实用新型在硅片上对应正银电极的区域设置N型薄膜，N型薄膜是指重掺杂磷源或其它源的薄膜，正面钝化膜的钝化作用和重掺杂N型薄膜的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率，增强钝化效果；同时，N型薄膜对于多子来说具有良好的传导性，可降低接触电阻，最终提高电池的光电转换效率。本实用新型结构简单，制备工艺简单，设备投入成本低，而且与现有生产线兼容性好，对现有生产线进行简单改造后即可使用，因此，适于广泛推广和适用。

本实用新型在所述P型硅和N型薄膜之间设有对应正银电极区域的隧道氧化层，隧道氧化层优选二氧化硅，可进一步提高正银电极处的钝化效果，降低少子复合速率，从而提升电池的光电转换效率。

本实用新型所述隧道氧化层和N型薄膜的面积大于正银电极的面积，以保证正银电极完全落在N型薄膜区域之内。

优选地，所述N型薄膜为多晶硅薄膜或碳化硅薄膜。

优选地，所述N型薄膜的厚度是5～50nm。

优选地，所述隧道氧化层的厚度为5～10nm。

与现有技术相比，本实用新型具有如下显著的效果：

⑴本实用新型在硅片上对应正银电极的区域设置N型薄膜，正面钝化膜的钝化作用和N型薄膜的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率，增强钝化效果；同时，N型薄膜对于多子来说具有良好的传导性，可降低接触电阻，最终提高电池的光电转换效率。