[实用新型]100A大电流直流大功率固态功率控制器

权利要求书

1.一种100A大电流直流大功率固态功率控制器，包括MCU及多个并联的MOSFET，MCU经由驱动电路与各MOSFET的栅极相连，各MOSFET的漏极相连形成输出端，MCU经由电压采集电路采集输出端的电压，其特征在于，所述驱动电路包括信号运算放大单元一及开关电路单元，MCU的控制信号输出端连接信号运算放大单元一的一个输入端，信号运算放大单元一的另一个输入端与开关电路单元的输出端相连，开关电路单元的输入端与MCU的调制信号输出端相连，信号运算放大单元的输出端连接各MOSFET的栅极；

电压采集电路包括串联在输出端上的分压电阻R38及分压电阻R39，分压电阻R39接地，分压电阻R38的两端与信号运算放大单元二的输入端相连，信号运算放大单元二的输出端与一阶数字滤波单元的输入端相连，一阶数字滤波单元的输出端连接MCU。

2.如权利要求1所述的一种100A大电流直流大功率固态功率控制器，其特征在于，每个所述MOSFET的栅极与栅极电阻串联后连接所述驱动电路。

3.如权利要求1所述的一种100A大电流直流大功率固态功率控制器，其特征在于，将所有并联的所述MOSFET置于统一散热壳体上，并在印制电路板上紧靠在同一区域。

4.如权利要求3所述的一种100A大电流直流大功率固态功率控制器，其特征在于，所有所述MOSFET背面朝下紧贴所述印制电路板，且所有所述MOSFET的顶面通过导热硅胶垫紧贴所述散热壳体。

5.如权利要求1所述的一种100A大电流直流大功率固态功率控制器，其特征在于，所述信号运算放大单元一的输出端经由电阻R61及二极管D4与各所述MOSFET的栅极相连，二极管D4的阴极与电阻R61相连，二极管D4的阳极与各所述MOSFET的栅极相连；同时，所述信号运算放大单元一的输出端经由串联电阻接地；同时，所述信号运算放大单元一的输出端与电阻R50的一端相连，电阻R50的另一端分别连接各所述MOSFET的栅极及稳压二极管Z3的阴极，稳压二极管Z3的阳极与各所述MOSFET的源极相连。

6.如权利要求1所述的一种100A大电流直流大功率固态功率控制器，其特征在于，所述信号运算放大单元一包括运算放大器一，运算放大器一的同相输入端经由电阻R45接地，同时，运算放大器一的同相输入端连接所述MCU的控制信号输出端，运算放大器一的反相输入端经由电阻R47连接所述开关电路单元，在运算放大器一的输出端与反相输入端之间跨接电阻R46。

7.如权利要求6所述的一种100A大电流直流大功率固态功率控制器，其特征在于，所述开关电路单元包括三极管Q12，三极管Q12的基极经由电阻R49与所述MCU的调制信号输出端相连，三极管Q12的射极接地，在三极管Q12的射极与基极之间跨接电阻R48，三极管Q12的基极与所述电阻R47相连。

8.如权利要求1所述的一种100A大电流直流大功率固态功率控制器，其特征在于，所述一阶数字滤波单元为RC滤波电路。