[实用新型]一种半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201920293314.3 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN209389445U 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 陈冬英 申请(专利权)人: 陈冬英
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;G05D23/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 336000 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 温度控制器 半导体制冷器 半导体激光器 本实用新型 导体 开关保护 制冷器 半导体器件技术 闭环控制系统 激光器主体 温度传感器 修正控制量 工作电流 控制系统 启闭控制 热敏电阻 外界环境 温度偏差 温度设定 系统参数 限流保护 预设单元 激光器 差量 修正 保证
【权利要求书】:

1.一种半导体激光器,它包括激光器主体、温度传感器、半导体制冷器和温度控制器;其特征在于:所述温度传感器包括热敏电阻,所述温度控制器包括一通过热敏电阻采集半导体制冷器的制冷面的实际温度以根据实际温度值与设定温度值之间的差量对输入半导体制冷器的电流进行修正的PI温度控制器、通过PI温度控制器对半导体制冷器的工作温度进行设定的温度预设单元以及通过PI温度控制器对半导体制冷器进行启闭控制和限流保护的开关保护单元;

所述热敏电阻夹持于激光器主体与半导体制冷器的制冷面之间并与PI温度控制器的增益电阻连接引脚相连,所述温度预设单元的输出端与PI温度控制器的电压设置引脚相连,所述开关保护单元的输出端同时与PI温度控制器的制冷电流输入端和制热电流输入端相连,所述半导体制冷器串接于PI温度控制器的两个热电输出端之间。

2.如权利要求1所述的一种半导体激光器,其特征在于:所述PI温度控制器包括一WTC3243型温度控制芯片,所述热敏电阻连接于温度控制芯片的SG引脚,所述温度预设单元的输出端连接于温度控制芯片的Vset引脚,所述开关保护单元的输出端同时与温度控制芯片的LIMA引脚和LIMB引脚相连,所述半导体制冷器串接于温度控制芯片的OUTA引脚和OUTB引脚之间。

3.如权利要求1或2所述的一种半导体激光器,其特征在于:所述温度预设单元包括电压基准器、第一放大器、第二放大器和分压变阻器,所述第一放大器的输出端通过第一电阻连接PI温度控制器的电压设置引脚并同时与反相输入端相连、同相输入端通过第一电容接地并同时与分压变阻器的调节端相连,所述分压变阻器的一端接地、另一端连接电压基准器的负极稳压端并通过连接限流电阻作为温度预设单元的电源输入端,所述电压基准器的正极稳压端接地、反馈端通过第二电阻接地并同时通过第三电阻连接负极稳压端、负极稳压端同时通过第二电容接地;所述第二放大器的输出端作为温度预设单元的电压监测端并同时与反相输入端相连、同相输入端通过第三电容接地并通过第四电阻连接PI温度控制器的电压设置引脚。

4.如权利要求3所述的一种半导体激光器,其特征在于:所述电压基准器包括一LM4041型电压基准芯片,所述第一放大器和/或第二放大器为OP747型运算放大器。

5.如权利要求1或2所述的一种半导体激光器,其特征在于:所述开关保护单元包括第一电压比较器、第一晶体管、第二晶体管和启闭开关,所述第一电压比较器的输出端通过连接第一分压电阻作为开关保护单元的电源输入端、通过第二分压电阻连接第一晶体管的基极、通过第三分压电阻连接第二晶体管的基极,所述第一晶体管的发射极接地、集电极连接PI温度控制器的制冷电流输入端并同时通过顺序串接的第五电阻和第一变阻器接地,所述第二晶体管的发射极接地、集电极连接PI温度控制器的制热电流输入端并同时通过顺序串接的第六电阻和第二变阻器接地,所述第一电压比较器的同相输入端通过启闭开关接地。

6.如权利要求5所述的一种半导体激光器,其特征在于:所述开关保护单元还包括第二电压比较器、第三晶体管、稳压二极管和发光二极管,所述第二电压比较器的反相输入端连接第一电压比较器的反相输入端、同相输入端连接第一电压比较器的同相输入端、输出端连接第三晶体管的基极并通过连接的稳压二极管作为开关保护单元的电源输入端,所述第三晶体管的发射极通过第七电阻连接开关保护单元的电源输入端、集电极通过发光二极管接地。

7.如权利要求6所述的一种半导体激光器,其特征在于:所述第一电压比较器和/或第二电压比较器均LM393型双电压比较器,所述第一晶体管和第二晶体管均为NPN型晶体管,所述第三晶体管为PNP型晶体管。

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