[实用新型]超高纯锗制备装置有效
申请号: | 201920271704.0 | 申请日: | 2019-03-04 |
公开(公告)号: | CN210001912U | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 赵青松;牛晓东;朱刘 | 申请(专利权)人: | 清远先导材料有限公司 |
主分类号: | C22B41/00 | 分类号: | C22B41/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 511517 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 坩埚杆 螺钉 固定部 顶杆 坩埚 固定孔 坩埚托 深孔 本实用新型 制备装置 超高纯 配合孔 延伸部 尖部 方便拆卸 连接方式 向下凸伸 精准度 水平性 贯穿 嵌入 转动 维修 配合 保证 | ||
本实用新型涉及一种超高纯锗制备装置,其包括一坩埚、一坩埚托、一坩埚杆、一顶杆以及一螺钉,坩埚托、坩埚杆以及顶杆固定连接,坩埚置于坩埚托内,坩埚杆包括一自上而下的一连接部、一延伸部、一固定部,连接部与坩埚杆开设一深孔,深孔自连接部贯穿延伸部直至固定部,固定部开设一固定孔,螺钉能够自深孔向下凸伸贯穿固定部进入固定孔,顶杆包括位于顶端的一尖部,尖部上开设一配合孔,螺钉进入固定孔的部分能够与配合孔相配合。本实用新型超高纯锗制备装置的坩埚杆与顶杆之间采用嵌入加螺钉的固定方式固定连接,保证了坩埚的稳定性、水平性及转动的精准度,当坩埚出现问题需要维修时,该连接方式又可方便拆卸、易于操作。
技术领域
本实用新型涉及高纯锗的制备领域,尤其涉及一种超高纯锗制备装置。
背景技术
由13N或以上纯度的超高纯锗单晶制备的核辐射探测器广泛应用于国防、军事科学研究领域,制备这种探测器级的锗单晶材料,其净杂质浓度必须小于 2×1010 cm-3。要想获得如此高纯度的锗单晶,需要以电子级高纯锗(5N-6N)为原料,采用特殊的区熔提纯方法得到探测器级锗多晶材料,再采用特殊的拉制单晶的方法,得到大体积的超高纯锗单晶材料。
制备超高纯单晶,需要特殊的单晶提拉炉,这是因为普通的单晶提拉炉炉体本身容易对单晶造成污染。中国实用新型专利CN202297857U提供了一种超高纯锗单晶炉坩埚杆,其包括石英坩埚、石英坩埚托以及底部的坩埚杆,所述坩埚杆为高纯石英件,其顶部设坩埚杆顶螺纹,石英坩埚托底部对应设有坩埚托螺纹将石英坩埚托与坩埚杆连接,所述坩埚杆底部连接至炉膛底座。该专利中,坩埚杆采用石英材质制备而成,避免采用金属连接件,防止金属件可能带来的污染。但采用石英材质的缺点是石英易碎而且加工螺纹难度大,并且仅采用螺纹连接容易出现连接件不垂直的现象。
本实用新型旨在提出一种易于实现的改进的超高纯锗制备装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述技术问题,提出一种易于实现的改进的超高纯锗制备装置。
为实现前述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种超高纯锗制备装置,其包括一坩埚、一坩埚托、一坩埚杆、一顶杆以及一螺钉,所述坩埚托、坩埚杆以及顶杆固定连接,所述坩埚置于坩埚托内,所述坩埚杆包括一自上而下的一连接部、一延伸部、一固定部,所述坩埚杆上开设一深孔,所述深孔自连接部贯穿延伸部直至固定部,所述固定部开设一固定孔,所述螺钉能够自深孔向下凸伸贯穿固定部进入固定孔,所述顶杆包括位于顶端的一尖部,所述尖部上开设一配合孔,所述螺钉进入固定孔的部分能够与配合孔相配合。
作为本实用新型的进一步改进,所述坩埚托底壁开设一凹槽,所述连接部能够凸伸入凹槽内与坩埚托固定连接。
作为本实用新型的进一步改进,所述连接部包括一等径部和一收窄部,所述等径部能够凸伸入凹槽内与坩埚托固定连接,所述收窄部连接等径部和延伸部。
作为本实用新型的进一步改进,所述坩埚杆采用高纯石墨材质制备而成。
作为本实用新型的进一步改进,所述坩埚托采用高纯石墨材质制备而成。
作为本实用新型的进一步改进,所述坩埚采用高纯石英材质制备而成。
本实用新型超高纯锗制备装置的坩埚杆与顶杆之间采用嵌入加螺钉的固定方式固定连接,保证了坩埚的稳定性、水平性及转动的精准度,当坩埚出现问题需要维修时,该连接方式又可方便拆卸、易于操作。
附图说明
图1为本实用新型超高纯锗制备装置的实施例的结构示意图。
具体实施方式
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