[实用新型]一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统

权利要求书

1.一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统，其特征在于：包括基体，和相互连接的真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极弧沉积系统和控制系统，所述基体通过所述高功率脉冲磁控溅射系统与所述真空阴极弧沉积系统结合制备成硒鼓；

所述真空阴极弧沉积系统(FCVA)以碳靶为阴极，利用双90度磁过滤沉积，在所述基体上进行高致密DLC涂层的沉积；

所述DLC涂层由阳极层气体离子源进行纳米结构刻蚀形成1-3nm的无定形增透及耐磨层；

所述高功率脉冲磁控溅射系统和所述真空阴极弧沉积系统的离子束呈夹角分布。

2.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统，其特征在于：所述碳靶产生的碳离子依次穿过第一强脉冲线包和T型磁过滤弯管，为T型磁过滤沉积。

3.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统，其特征在于：所述高功率脉冲磁控溅射系统和所述真空阴极弧沉积系统的离子束的夹角的角度为30～90度。

4.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统，其特征在于：所述真空阴极弧沉积系统(FCVA)和所述高功率脉冲磁控溅射系统(HIPIMS)均配有冷却系统。

5.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备系统，其特征在于：所述基体的样品位于真空室中。