[实用新型]导电模组、具备该导电模组的触摸屏及显示装置

说明书

本实用新型提供了一种导电模组、具备该导电模组的触摸屏及显示装置。导电模组，包括第一纳米银线导电电极层、第一光学胶层、第二纳米银线导电电极层以及基底，所述导电模组还包括设置在第一纳米银线导电电极层和/或第二纳米银线导电电极层上的金属网格层，所述金属网格层延伸至与所述基底的至少一个边缘等齐。导电模组导电模组该导电模组及具有该导电模组的触摸屏和显示装置不仅增加了纳米银线导电电极层与基底的粘着性，还可以起到保护电极材料，增加屏体强度作用。

技术领域

本实用新型属于显示领域，具体涉及一种导电模组及具备该导电模组的触摸屏和显示装置。

背景技术

随着现代触控技术的进步，触摸屏应用范围不断扩大，手机、平板电脑中触控功能几近成为标准配置；在笔记本电脑、超极本、一体机中，具备触控功能的产品占有市场份额也不断扩大；从触摸屏产业的角度看，触摸屏低成本、量产性是未来发展的方向；而对于普通消费者，触摸屏的轻薄性、高透过性则会得到更多关注；随着触控技术的发展，传统的电阻式触摸屏逐步被更轻薄、触控性能更佳的电容式触摸屏技术所取代；在诸多电容式触摸屏结构中，以OGS及TOL结构的触摸屏轻薄性、透过率最佳；对于已有OGS 及TOL工艺，业界通常使用单层ITO或ITO垮桥结构来形成触摸电极结构，工艺上需要使用真空溅射设备沉积ITO薄膜，然后使用黄光制程形成图形，对于垮桥结构还需在垮桥下制作透明绝缘层材料；无论是哪种结构，都需要昂贵的真空溅射工艺沉积ITO透明导电膜层；另外核心材料的氧化铟锡也逐渐暴露出诸多问题：第一、铟资源储备有限，ITO作为透明电极在越来越多的领域得到广泛应用，这就加速铟资源的消耗速度，铟价格也逐步提高，直接造成器件制造成本的增加；第二、ITO薄膜需要昂贵的真空镀膜设备并且在较高的基板温度下才能获得高性能的ITO透明导电膜，设备投资巨大，工艺难度较高，并且溅射机台很容易成为产线瓶颈，限制产能；第三、为了获得较小的方阻值，通常ITO沉积的厚度较大，这就造成ITO图形易见，为了克服这个缺点，业界往往在沉积ITO之前使用真空溅射沉积二氧化硅、五氧化二铌等复合消隐层，这就更加增加了制造成本，限制产能。

基于上述因素，纳米银线替换ITO成为趋势，研究者发现采用银纳米线材料制备的涂层具有优异的导电性、透光率和耐弯折性能，但银纳米线材料同时也具有接触电阻较高、与基底附着性差、耐腐蚀性不强等缺点。

美国斯坦福大学发现在银纳米线层上电镀金膜并进行热压处理可以减小线与线之间的接触电阻；后来又发现采用卤钨灯照射可以使银纳米线交叉点在低温下焊接在一起，进一步减小了银纳米线之间的接触电阻，获得的透明导电涂层透光率在80％时表面电阻只有10Ω/□。

虽然这些方法能够有效地减小银线的接触电阻，但对提高涂层的耐蚀性没有作用。美国加利福尼亚大学的一个研究组在银纳米线涂层表面先涂覆一层TiO₂溶胶，烘干后再涂一层导电高分子PEDOT:PSS，获得了银纳米线 -TiO₂-PEDOT:PSS复合涂层；此复合涂层附着性、耐蚀性都有很大的提高，但需要的原料较多，步骤比较繁琐，不适用于大面积成膜。

CN102087886A在基底表面先涂覆一层粘附剂(如PVA)，再涂覆银纳米线，经过干燥之后得到的复合涂层。这种方法虽然使涂层的附着性大幅度提高，却降低了涂层的导电性。

另外也有不少研究组将银纳米线与化学气相沉积法(CVD)制备的石墨烯复合，先是在金属基底上采用化学气相沉积法制备石墨烯，然后将石墨烯从金属基底上转移到银涂层上，转移方法有基体腐蚀法等。所述方法得到的复合涂层虽然导电性和附着性都有明显提高，但化学气相沉积法制备石墨烯，成本较高，工艺复杂，且石墨烯的高质量转移过程也是一大难题(例如 CN103325442A，CN203085198U)。

本领域亟待开发一种透明导电薄膜，其能够提高银纳米线涂层的导电性、附着力，还可以起到保护电极材料，增加屏体强度作用，同时其工艺简单、生产成本低廉。

实用新型内容