[实用新型]一种直流保护电路及电梯对讲系统和直流输出系统有效
| 申请号: | 201920202428.2 | 申请日: | 2019-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN209375125U | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
| 发明(设计)人: | 陈乐建;廖春富;卢锦荣;陈美瑜;林为銮 | 申请(专利权)人: | 广东寰宇电子科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
| 代理公司: | 佛山市广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人: | 李俊 |
| 地址: | 511458 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 直流电源输入端 直流保护电路 电梯对讲系统 直流输出电路 直流输入电路 本实用新型 限流电路 直流输出 集电极 电路 输出直流电 源极连接 栅极连接 自动恢复 发射极 负载端 热损坏 三极管 原状态 晶体管 电阻 漏极 | ||
1.一种直流保护电路,其特征在于,所述直流保护电路包括:直流输出电路和限流电路,所述直流输出电路包括第一晶体管Q1,所述Q1连接着直流电源输入端并实现输出直流电至负载端,所述Q1为NPN型三极管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管种的一种;所述限流电路包括第二三极管Q2和电阻R6,所述Q2为NPN型三极管;所述Q1的集电极或漏极连接着直流电源输入端,所述Q1的发射极或者源极连接着所述R6和所述Q2的基极,所述Q1的基极或栅极连接着直流电源输入端和所述Q2的集电极;所述R6一端连接着所述Q1的发射极或者源极和所述Q2的基极,另一端连接着负载端;所述Q2的发射极连接着负载端。
2.如权利要求1所述的直流保护电路,其特征在于,所述Q1的基极上串联有基极电阻。
3.如权利要求2所述的直流保护电路,其特征在于,所述基极电阻包括电阻R4和电阻R5,所述R4和所述R5串联在一起,所述R4连接着直流电源输入端,所述R5连接着所述Q1的基极。
4.如权利要求3所述的直流保护电路,其特征在于,所述直流保护电路还包括二极管D1和第三晶体管Q3,所述Q3为NPN型三极管、P沟道结型场效应管、N沟道增强型MOS场效应管种的一种,其中:
所述D1的负极连接着负载端,所述D1的正极连接着Q3的发射极或源极;
所述Q3的基极或栅极连接着直流电源输入端,所述Q3的集电极或漏极连接在所述R4和R5之间的电路上。
5.如权利要求4所述的直流保护电路,其特征在于,所述Q3的基极或栅极和直流电源输入端间包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和电容C2,其中:
所述R1一端连接着直流电源输入端,所述R1另一端并联连接有所述R2和R3;
所述R2一端连接着R1,所述R2另一端与所述C2并联接地;
所述R3一端与所述R2并联连接着R1,所述R3另一端与所述C2并联连接Q3的基级或栅极;
所述C2一端与所述R2并联接地,所述C2与所述R3并联连接Q3的基极或栅极。
6.如权利要求1至5任一项所述的直流保护电路,其特征在于,所述Q1为NPN型单级或多级半导体三极管;或者所述Q1为P沟道结型单级或多级场效应管;或者所述Q1为N沟道增强型单级或多级MOS场效应管。
7.如权利要求1至5任一项所述的直流保护电路,其特征在于,所述Q2为NPN型单级或多级半导体三极管。
8.如权利要求4或者5所述的直流保护电路,其特征在于,所述Q3为NPN型单级或多级半导体三极管;或者所述Q3为P沟道结型单级或多级场效应管;或者所述Q3为N沟道增强型单级或多级MOS场效应管。
9.一种电梯对讲系统,其特征在于,所述电梯对讲系统基于总线与各对讲终端实现直流供电,在总线端的直流电源输出线路上设置有如权利要求1至8任一项所述的直流保护电路。
10.一种直流输出系统,其特征在于,所述直流输出系统包括直流电源和负载,在所述直流电源和负载间设置有如权利要求1至8任一项所述的直流保护电路。
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