[实用新型]一种晶圆研磨装置

说明书

本实用新型公开了一种晶圆研磨装置，包括支撑柜，所述支撑柜内壁底部固定连接有电动机，所述电动机的驱动轴固定连接有支撑轴，所述支撑轴远离电动机的一端贯穿支撑柜并固定连接有研磨盘，所述研磨盘远离支撑轴的一侧开设有研磨槽，所述支撑柜顶部一端固定连接有第一支撑杆，所述第一支撑杆顶部转动连接有第二支撑杆，所述第二支撑杆远离第一支撑杆的一端固定连接有液压伸缩杆，所述液压伸缩杆底部固定连接有固定盘，所述固定盘底部开设有固定槽，所述固定槽内壁滑动连接有压块，所述压块顶部转动连接有压杆，本实用新型涉及晶圆技术领域。该一种晶圆研磨装置，能够缩减工序，节省胶带资源，并且加工效率较高。

技术领域

本实用新型涉及晶圆技术领域，具体为一种晶圆研磨装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品，晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅，二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，晶圆是制造半导体芯片的基本材料，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆，硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤，硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型，单晶硅棒的直径是由籽晶拉出的速度和旋转速度决定的，一般来说，上拉速率越慢，生长的单晶硅棒直径越大，而切出的晶圆片的厚度与直径有关，虽然半导体器件的制备只在晶圆的顶部几微米的范围内完成，但是晶圆的厚度一般要达到1mm，才能保证足够的机械应力支撑，因此晶圆的厚度会随直径的增长而增长，晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”，硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。晶圆在使用的过程中需要针对不同的使用环境研磨至不同的厚度，研磨时由于要避免研磨过程中背面产生的杂质污染功能面，需在功能面贴上胶带，工序复杂，浪费胶带，并且加工数量限制导致加工效率较低。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种晶圆研磨装置，解决了晶圆在使用的过程中需要针对不同的使用环境研磨至不同的厚度，研磨时由于要避免研磨过程中背面产生的杂质污染功能面，需在功能面贴上胶带，工序复杂，浪费胶带，并且加工数量限制导致加工效率较低的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种晶圆研磨装置，包括支撑柜，所述支撑柜内壁底部固定连接有电动机，所述电动机的驱动轴固定连接有支撑轴，所述支撑轴远离电动机的一端贯穿支撑柜并固定连接有研磨盘，所述研磨盘远离支撑轴的一侧开设有研磨槽，所述支撑柜顶部一端固定连接有第一支撑杆，所述第一支撑杆顶部转动连接有第二支撑杆，所述第二支撑杆远离第一支撑杆的一端固定连接有液压伸缩杆，所述液压伸缩杆底部固定连接有固定盘，所述固定盘底部开设有固定槽，所述固定槽内壁滑动连接有压块，所述压块顶部转动连接有压杆，所述压杆远离压块的一端贯穿固定盘并固定连接有转柄。

优选的，所述研磨槽内壁放置有研磨垫。

优选的，所述压杆上开设有外螺纹并与固定盘螺纹连接。

优选的，所述压块底部固定连接有防护垫。

优选的，所述固定盘顶部开设有研磨剂槽孔。

优选的，所述固定盘上开设有至少六个固定槽。

(三)有益效果

本实用新型提供了一种晶圆研磨装置。具备以下有益效果：