[发明专利]可编程存储单元、非易失性存储系统及其控制方法

说明书

本申请公开了一种可编程存储单元、非易失性存储系统及其控制方法。所述非易失性存储系统包括控制单元、可编程存储单元以及用于连接控制单元和可编程存储单元的通信传输线，可编程存储单元与通信传输线相连并包括至少一个电熔丝存储器，所述控制方法包括：通过控制通信传输线的传输线电压，在控制单元和可编程存储单元之间传输串行数据；以及根据串行数据产生对应的熔融电流，以将串行数据中的目标数据非易失性地存储在对应的电熔丝存储器中。本发明实施例提供的可编程存储单元、非易失性存储系统及其控制方法可以减少用于通信/供电的压焊点数量，从而简化电路之间的连接关系，并降低芯片的面积、成本以及设计难度。

技术领域

本发明涉及通信技术，更具体地，涉及可编程存储单元、非易失性存储系统以及非易失性存储系统的控制方法。

背景技术

目前，芯片内通常设置有非易失性存储器，用于存储系统工作所需的数据。例如，在一些高精度模拟电路中，为了减少失配等现象所带来的性能影响，经常需要在芯片中设置修调电路来保证精度，该修调电路由非易失性存储器实现，使得修调信息不会在芯片掉电之后丢失。

芯片中通常采用可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-OnlyMemory,EPROM)作为非易失性存储器，其不足之处在于：在对EPROM执行相应的操作时需要提供一个高电压(高于其它电路的正常工作电压)，这就对芯片的制造工艺提出了较高的耐压需求，并需要芯片提供用于产生该高电压的内部升压电路和/或用于接收该高电压的额外的压焊点，使得芯片内部电路复杂，且不利于降低芯片面积、成本和设计难度。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种可编程存储单元、非易失性存储系统及其控制方法，以减少用于通信/供电的压焊点数量，从而简化电路之间的连接关系，并降低芯片的面积、成本以及设计难度。

根据本发明的第一方面，提供了非易失性存储系统的控制方法，其特征在于，所述非易失性存储系统包括控制单元、可编程存储单元以及用于连接所述控制单元和所述可编程存储单元的通信传输线，所述可编程存储单元包括至少一个电熔丝存储器，所述控制方法包括：通过控制通信传输线的传输线电压，在所述控制单元和所述可编程存储单元之间传输串行数据；以及根据所述串行数据产生熔融电流，以将所述串行数据中的目标数据存储在对应的所述电熔丝存储器中。

在一些实施例中，所述熔融电流利用所述可编程存储单元的工作电压产生。

在一些实施例中，在传输所述串行数据的步骤之前，所述控制方法还包括：在初始化阶段，通过所述通信传输线执行握手操作，以使所述控制单元和所述可编程存储单元进入可相互通信的状态，并将所述传输线电压稳定在复位电压。

在一些实施例中，控制方法还包括：提供所述通信传输线的复位路径，从而当所述通信传输线被释放时，所述传输线电压被复位至所述复位电压。

在一些实施例中，执行所述握手操作的步骤包括：所述控制单元向所述通信传输线提供第一逻辑电压以形成邀请脉冲，随后释放所述通信传输线；所述可编程存储单元检测所述传输线电压，在检测到所述邀请脉冲之后，所述可编程存储单元向所述通信传输线提供所述第一逻辑电压以形成响应脉冲，随后释放所述通信传输线；以及所述控制单元检测到所述响应脉冲后，将所述传输线电压复位至所述复位电压。

在一些实施例中，所述控制方法还包括：在所述初始化阶段，所述控制单元检测所述响应脉冲的脉宽，并根据所述脉宽调节所述控制单元在传输数据时的数据保持时间。