[发明专利]一种紫外高反射率的复合电极及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外高反射率的复合电极，其特征在于，包括N型层、设于所述N型层上方的量子阱及设于所述量子阱上方的P型层，所述P型层上方设有多个独立的ITO圆柱，所述ITO圆柱表面设有连续的Al薄膜；所述Al薄膜在ITO圆柱上开圆孔，所述圆孔的直径小于ITO圆柱直径；

所述Al薄膜和ITO圆柱表面还设有与ITO圆柱欧姆接触的金属电极圆柱；所述Al薄膜和金属电极表面设有绝缘反射层；所述绝缘反射层刻蚀有导电孔；所述绝缘发射层表面还设有焊接金属电极，与导电金属电极通过导电孔进行连接。

2.如权利要求1所述的紫外高反射率的复合电极，其特征在于，所述ITO圆柱的直径为10μm-100μm。

3.如权利要求1所述的紫外高反射率的复合电极，其特征在于，所述金属电极圆柱的直径大于ITO圆柱直径。

4.如权利要求1所述的紫外高反射率的复合电极，其特征在于，所述金属电极圆柱的材料为Cr、Al、Ti、Pt、Au中的一种。

5.如权利要求1所述的紫外高反射率的复合电极，其特征在于，所述绝缘反射层的材料为DBR，所述焊接金属电极的材料为Au或AuSn合金。

6.如权利要求1~5任一项所述的紫外高反射率的复合电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）N型层漏出：对P型层和量子阱进行刻蚀；

（2）在P型层表面镀ITO薄膜，然后对ITO薄膜表面进行匀胶曝光显影，形成多个圆柱形光刻胶，再进行酸性刻蚀ITO薄膜，得到多个独立的ITO圆柱；

（3）在P型层和ITO表面进行匀胶曝光显影，在ITO圆柱表面形成光刻胶圆柱，用电子束蒸发、热蒸发或溅镀制造Al薄膜，再进行剥离去胶，形成连续Al薄膜，且Al薄膜在ITO圆柱上开出圆孔，所述圆孔的孔径小于ITO圆柱直径；

（4）在Al薄膜和ITO圆柱表面制作与ITO圆柱欧姆接触的金属电极圆柱；

（5）在Al薄膜和金属电极表面制作绝缘反射层；

（6）在绝缘反射层刻蚀导电孔；

（7）在绝缘发射层表面制作焊接金属电极，与导电金属电极通过导电孔进行连接。

7.如权利要求6所述的紫外高反射率的复合电极的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，用ICP对P型层和量子阱进行刻蚀，刻蚀的深度为1200-1400nm。

8.如权利要求6所述的紫外高反射率的复合电极的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中，在P型层表面镀ITO薄膜，ITO薄膜的厚度为30-120nm，ITO薄膜层合金后透光率＞96%。