[发明专利]低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201911423721.2 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111040450A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 王汉利;顾萍;王俊莉;杨振东;刘钊 | 申请(专利权)人: | 山东华夏神舟新材料有限公司 |
主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08J5/18;C08G73/10 |
代理公司: | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人: | 赵真真;耿霞 |
地址: | 256401*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低介电含氟 聚酰亚胺 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜,其特征在于:在笼型聚倍半硅氧烷的分散液中,加入9,9-双[4-(4-氨基-3-三氟甲基苯氧基)苯基]芴和二酐单体,进行原位聚合,得到所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜,其特征在于:9,9-双[4-(4-氨基-3-三氟甲基苯氧基)苯基]芴为通过在9,9-双[4-(4-氨基-苯氧基)苯基]芴中引入三氟甲基制得。
3.根据权利要求1所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜,其特征在于:二酐单体为以下物质中的一种或多种:
4.根据权利要求1所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜,其特征在于:9,9-双[4-(4-氨基-3-三氟甲基苯氧基)苯基]芴和二酐单体的摩尔比为1:1~1.1。
5.根据权利要求1所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜,其特征在于:薄膜中聚酰亚胺固含量为8wt~30wt%。
6.一种权利要求1-5任一所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将笼型聚倍半硅氧烷加入到有机溶剂中,超声混合,加入偶联剂,继续搅拌6-12h,得到均匀分散液;
(2)将9,9-双[4-(4-氨基-3-三氟甲基苯氧基)苯基]芴加入到步骤(1)所得的分散液中,氮气保护下,搅拌使其溶解;
(3)向步骤(2)得到的溶液中分批次加入二酐单体,通过缩聚反应得到聚酰胺酸溶液;
(4)向步骤(3)得到的聚酰胺酸溶液中添加催化剂和脱水剂,进行化学亚胺化,得到聚酰亚胺溶液;
(5)将步骤(4)得到的聚酰亚胺溶液倒入沉淀剂中,形成粉末状或者纤维状,洗涤后在真空烘箱中烘干,得到含氟聚酰亚胺树脂;
(6)将步骤(5)制备的聚酰亚胺树脂在极性溶剂中溶解,并经过过滤和脱泡后,流延,然后置于烘箱中干燥,得到所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜。
7.根据权利要求6所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的有机溶剂为N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺;笼型聚倍半硅氧烷的质量为低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜质量的2-8%。
8.根据权利要求6所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜的制备方法,其特征在于:偶联剂为苯氨基甲基二乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷或乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
9.根据权利要求6所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜的制备方法,其特征在于:催化剂为叔胺;脱水剂为酸酐;催化剂和脱水剂与聚酰胺酸的摩尔比均为2~5:1。
10.根据权利要求6所述的低介电含氟聚酰亚胺复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(6)中,流延成膜时间为10-48h,成膜温度为80℃~200℃。
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