[发明专利]桥式开关外围电路及低电压差分信号电路

说明书

本发明涉及一种桥式开关外围电路及低电压差分信号电路，在第一电流源辅助桥式开关形成桥式开关电流的情况下，通过共模反馈放大器内的相互级联的两个或两个以上的半导体开关管形成的级联负载，一半导体开关管与第一电流源构成控制桥式开关电流的电流镜。由于该级联负载内的两个或两个以上的半导体开关管为级联结构，可有效地增大级联负载的阻抗，提高级联负载与第一电流源形成电流镜的匹配性，以提高抗PVT波动的能力。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，特别是涉及一种桥式开关外围电路及低电压差分信号电路。

背景技术

LVDS(Low-Voltage Differential Signaling，低电压差分信号)技术是一种低功耗、低误码率、低串扰和低辐射的差分信号技术，其核心是采用极低的电压摆幅高速差动传输数据。基于LVDS电路的输出接口可以传输高速率的信号，传输距离远，并且不易受到电磁干扰，传输精度高，高速模数转换器基本上都采用LVDS接口。

传统的LVDS电路均采用桥式开关结构，通过四个MOS管构成桥式开关，一桥臂的两个MOS管栅极接收一路控制电平，另一桥臂的两个MOS管栅极接收另一路控制电平，两路控制电平逻辑相反。在一控制电平逻辑中，桥式开关的一对MOS对管导通，在另一控制电平逻辑中，桥式开关的另一对MOS对管导通，通过串接在上下两桥臂间的输出电阻输出差分电压。同时，上下两桥臂间串接有阻值相同的两个采样电阻，两采样电阻间的中点电压为共模电压，共模电压经共模反馈放大器后，通过电流镜控制桥式开关电流的大小。

传统LVDS电路的电源电压最小为2.5V，如果电源电压小于2.5V，如1.8V等，则共模反馈放大器中一MOS管需接成二极管模式，造成另一MOS管的漏极源极电压差与电流镜内MOS管的漏极源极电压差差别较大，这会导致LVDS电路的输出共模失调电压增大，影响LVDS电路的抗PVT(Process，Voltage and Temperature)波动能力。

发明内容

基于此，有必要针对在电源电压较低时，LVDS电路的输出共模失调电压增大，导致LVDS电路的抗PVT波动能力差的缺陷，提供一种桥式开关外围电路及低电压差分信号电路。

一种桥式开关外围电路，包括：

第一电流源，用于在信号端与桥式开关的第一公共端间构成电流源；其中，信号端包括电源电压信号端或地信号端；

共模反馈放大器，共模反馈放大器包括相互级联的两个或两个以上的半导体开关管；其中，一半导体开关管用于与第一电流源构成控制桥式开关电流的电流镜。

上述桥式开关外围电路，在第一电流源辅助桥式开关形成桥式开关电流的情况下，通过共模反馈放大器内的相互级联的两个或两个以上的半导体开关管形成的级联负载，一半导体开关管与第一电流源构成控制桥式开关电流的电流镜。由于该级联负载内的两个或两个以上的半导体开关管为级联结构，可有效地增大级联负载的阻抗，提高级联负载与第一电流源形成电流镜的匹配性，以提高抗PVT波动的能力。

在其中一个实施例中，半导体开关管包括MOS管。

在其中一个实施例中，还包括：

电流调整单元，用于调整第一电流源的电流。

在其中一个实施例中，第一电流源包括：

第一PMOS管，第一PMOS管的源极用于连接电源电压信号端，第一PMOS管的漏极用于连接桥式开关的第一公共端。

在其中一个实施例中，第一电流源包括：

第四NMOS管，第四NMOS管的栅极连接共模反馈放大器，第一NMOS管的源极用于连接地信号端，第四NMOS管的漏极用于连接桥式开关的第一公共端。

在其中一个实施例中，还包括：