[发明专利]桥式开关外围电路及低电压差分信号电路

权利要求书

1.一种桥式开关外围电路，其特征在于，包括：

第一电流源，用于在信号端与桥式开关的第一公共端间构成电流源；其中，信号端包括电源电压信号端或地信号端；

共模反馈放大器，所述共模反馈放大器包括相互级联的两个或两个以上的半导体开关管；相互级联的两个半导体开关管接成cascode结构，其中，一所述半导体开关管用于与所述第一电流源构成控制桥式开关电流的电流镜；

电流调整单元，用于调整所述第一电流源的电流，从而改变差分电压，得到可调的差分电压。

2.根据权利要求1所述的桥式开关外围电路，其特征在于，所述半导体开关管包括MOS管。

3.根据权利要求1所述的桥式开关外围电路，其特征在于，所述第一电流源包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极用于连接电源电压信号端，所述第一PMOS管的漏极用于连接桥式开关的第一公共端。

4.根据权利要求1所述的桥式开关外围电路，其特征在于，所述第一电流源包括：

第四NMOS管，所述第四NMOS管的栅极连接所述共模反馈放大器，所述第四NMOS管的源极用于连接地信号端，所述第四NMOS管的漏极用于连接所述桥式开关的第一公共端。

5.根据权利要求1所述的桥式开关外围电路，其特征在于，还包括：

第二电流源，用于在所述信号端与桥式开关的第二公共端间构成电流源。

6.根据权利要求5所述的桥式开关外围电路，其特征在于，电流调整单元还用于调整所述第二电流源的电流。

7.根据权利要求5所述的桥式开关外围电路，其特征在于，所述第一电流源包括第十四PMOS管，所述第十四PMOS管的源极用于连接电源电压信号端，所述第十四PMOS管的漏极用于连接桥式开关的第一公共端；

所述第二电流源包括第十六NMOS管，所述第十六NMOS管的栅极连接所述共模反馈放大器，所述第十六NMOS管的源极用于连接地信号端，所述第十六NMOS管的漏极用于连接所述桥式开关的第二公共端。

8.根据权利要求5所述的桥式开关外围电路，其特征在于，所述第一电流源包括第二十六NMOS管，所述第二十六NMOS管的栅极连接所述共模反馈放大器，所述第二十六NMOS管的源极用于连接地信号端，所述第二十六NMOS管的漏极用于连接所述桥式开关的第一公共端；

所述第二电流源包括第二十四PMOS管，所述第二十四PMOS管的源极用于连接电源电压信号端，所述第二十四PMOS管的漏极用于连接桥式开关的第二公共端。

9.根据权利要求3或7所述的桥式开关外围电路，其特征在于，所述共模反馈放大器包括相互级联的两个或两个以上PMOS管；

其中，所述共模反馈放大器还用于接入参考电压、共模电压和偏置电压。

10.根据权利要求4或8所述的桥式开关外围电路，其特征在于，所述共模反馈放大器包括相互级联的两个或两个以上NMOS管；

其中，所述共模反馈放大器还用于接入参考电压、共模电压和偏置电压。

11.根据权利要求3所述的桥式开关外围电路，其特征在于，所述电流调整单元包括第一控制开关以及一个或多个第一电流源PMOS管；

其中，所述第一电流源PMOS管与所述第一PMOS管并接；所述第一控制开关用于导通或关断所述第一电流源PMOS管。

12.根据权利要求7所述的桥式开关外围电路，其特征在于，所述电流调整单元包括第一控制开关以及一个或多个第一电流源PMOS管；

其中，所述第一电流源PMOS管与所述第十四PMOS管并接；所述第一控制开关用于导通或关断所述第一电流源PMOS管。