[发明专利]异步降压DCDC芯片及基于异步降压DCDC芯片的自举电路有效

专利信息
申请号: 201911413532.7 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN110994996B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 冯翰雪;皮文兵 申请(专利权)人: 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 周仁青
地址: 215123 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 异步 降压 dcdc 芯片 基于 电路
【说明书】:

发明揭示了一种异步降压DCDC芯片及基于异步降压DCDC芯片的自举电路,所述DCDC芯片包括输入端、第一输出端及第二输出端,输入端与输入电压相连,第一输出端和第二输出端之间的电压差为VBOOT,其中:所述输入端和第一输出端之间设有若干第一MOS管;所述第一MOS管的栅极与第二输出端之间设有BOOT参考电压单元;所述第二输出端和基准电位之间设有第二MOS管,第二MOS管通过逻辑控制单元进行驱动。自举电路包括:异步降压DCDC芯片;自举电容;电感;输出电容及负载电阻。本发明通过将BOOT参考电压单元的下端连接到第二输出端SW,解决了轻载情况下自举电容CBOOT无法充电问题。

技术领域

本发明属于电源管理芯片技术领域,具体涉及一种异步降压DCDC芯片及基于异步降压DCDC芯片的自举电路。

背景技术

参图1所示为现有技术中基于异步降压DCDC芯片的自举电路,其中BOOT参考电压单元的具体电路如图2所示,异步降压降压DCDC芯片需要使用肖特基二级管D0形成电感电流的续流路径,完成输入电压VIN到输出电压VOUT的转换。

异步降压DCDC芯片通常使用NMOS管作为高边的功率管,为了驱动高边NMOS管,需要芯片内部设计BOOT驱动电路,搭配外接自举电容CBOOT,以产生高边NMOS管驱动电路的电源BOOT。同时为了保证BOOT电压足以让高边NMOS管驱动电路正常工作,通常会有UVLO(under voltage lock out,低压锁存)电路监测BOOT与SW间的电压差VBOOT,电压差VBOOT足够大时才允许高边NMOS管打开。

参图3a~3c所示为现有技术中自举电路的工作波形图,可以发现现有技术中的自举电路具有以下缺点:

如图3a所示,自举电路需要SW电压很低,仅在OFF时间段才能为自举电容CBOOT充电;

如图3b所示,轻载DCM工作条件,OFF时间很短,IDEL时间段SW电压又较高,所以无法有效为自举电容CBOOT充电;

如图3c所示,输入电压VIN接近输出电压VOUT、大占空比的工作条件,无论CCM模式(ContinuousConduction Mode,连续导通模式)还是DCM模式(Discontinuous ConductionMode非连续导通模式),OFF时间都很短,自举电容CBOOT无法充分充电。

参图4、图5所示,以上问题可以用外接二极管和假负载改善,如图4中二极管DA1加强了OFF时间段对自举电容CBOOT的充电能力,可以允许更小的OFF时间,图5中二极管DA1可以在DCM模式的IDEL时间段给自举电容CBOOT充电。两种方案中都加了假负载电阻Rdmy,避免进入极轻载状态,限制OFF时间不要太短,但上述方法损害了轻载效率。

因此,针对上述技术问题,有必要提供一种异步降压DCDC芯片及基于异步降压DCDC芯片的自举电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种异步降压DCDC芯片及基于异步降压DCDC芯片的自举电路,以解决轻载情况下自举电容无法充电的问题。

为了实现上述目的,本发明一实施例提供的技术方案如下:

一种异步降压DCDC芯片,所述DCDC芯片包括输入端、第一输出端及第二输出端,输入端与输入电压相连,第一输出端和第二输出端之间的电压差为VBOOT,其中:

所述输入端和第一输出端之间设有若干第一MOS管;

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